发明授权
- 专利标题： Enhancement mode gallium nitride power devices
- 专利标题（中）： 增强型氮化镓功率器件
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申请号： US13406723申请日： 2012-02-28
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公开(公告)号： US08344424B2公开(公告)日： 2013-01-01
- 发明人: Chang Soo Suh , Umesh Mishra
- 申请人： Chang Soo Suh , Umesh Mishra
- 申请人地址： US CA Goleta
- 专利权人： Transphorm Inc.
- 当前专利权人： Transphorm Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Goleta
- 代理机构： Fish & Richardson P.C.
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66
摘要：
Enhancement mode III-nitride devices are described. The 2DEG is depleted in the gate region so that the device is unable to conduct current when no bias is applied at the gate. Both gallium face and nitride face devices formed as enhancement mode devices.
公开/授权文献
- US20120175680A1 ENHANCEMENT MODE GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES 公开/授权日：2012-07-12
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IPC分类:
