发明授权
US08363326B2 AlxGa(1-x)N single crystal, method of producing AlxGa(1-x)N single crystal, and optical lens
失效
Al x Ga（1-x）N单晶，Al x Ga（1-x）N单晶的制造方法，光学透镜
- 专利标题： AlxGa(1-x)N single crystal, method of producing AlxGa(1-x)N single crystal, and optical lens
- 专利标题（中）： Al x Ga（1-x）N单晶，Al x Ga（1-x）N单晶的制造方法，光学透镜
-
申请号： US13001723申请日： 2009-06-25
-
公开(公告)号： US08363326B2公开(公告)日： 2013-01-29
- 发明人: Satoshi Arakawa , Takashi Sakurada , Yoshiyuki Yamamoto , Issei Satoh , Keisuke Tanizaki , Hideaki Nakahata , Naho Mizuhara , Michimasa Miyanaga
- 申请人： Satoshi Arakawa , Takashi Sakurada , Yoshiyuki Yamamoto , Issei Satoh , Keisuke Tanizaki , Hideaki Nakahata , Naho Mizuhara , Michimasa Miyanaga
- 申请人地址： JP Osaka-shi, Osaka
- 专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Osaka-shi, Osaka
- 代理机构： Drinker Biddle & Reath LLP
- 优先权： JP2008-172562 20080701
- 国际申请： PCT/JP2009/061609 WO 20090625
- 国际公布： WO2010/001803 WO 20100107
- 主分类号： G02B1/02
- IPC分类号： G02B1/02
摘要：
A method of producing an AlxGa(1-x)N (0
公开/授权文献
信息查询
