发明授权
- 专利标题： Data dependent SRAM write assist
- 专利标题（中）： 数据依赖SRAM写入辅助
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申请号： US13101436申请日： 2011-05-05
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公开(公告)号： US08520429B2公开(公告)日： 2013-08-27
- 发明人: Derick G. Behrends , Todd A. Christensen , Travis R. Hebig , Michael Launsbach , Daniel M. Nelson
- 申请人： Derick G. Behrends , Todd A. Christensen , Travis R. Hebig , Michael Launsbach , Daniel M. Nelson
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理商 Robert R. Williams
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C5/14
摘要：
A semiconductor chip has an SRAM (static random access memory). The SRAM includes a data dependent write assist circuit which, on writes, reduces a supply voltage on one of a cross coupled inverter pair in an SRAM cell, thereby making it easier to overcome the one of the cross coupled inverters.
公开/授权文献
- US20120281457A1 Data Dependent SRAM Write Assist 公开/授权日：2012-11-08
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