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US08525286B2 Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor 有权
制造背面照明彩色图像传感器的晶圆结构的方法

Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor
摘要：
An integrated circuit device is provided. The integrated circuit device can include a substrate; a first radiation-sensing element disposed over a first portion of the substrate; and a second radiation-sensing element disposed over a second portion of the substrate. The first portion comprises a first radiation absorption characteristic, and the second portion comprises a second radiation absorption characteristic different from the first radiation absorption characteristic.
摘要（中）：

提供集成电路装置。 集成电路器件可以包括衬底; 设置在所述基板的第一部分上的第一辐射感测元件; 以及设置在所述基板的第二部分上的第二辐射感测元件。 第一部分包括第一辐射吸收特性，第二部分包括与第一辐射吸收特性不同的第二辐射吸收特性。

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