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US08586493B2 Silicon nitride sintered body, method of producing the same, and silicon nitride circuit substrate and semiconductor module using the same 有权
氮化硅烧结体及其制造方法，氮化硅电路基板及使用其的半导体模块

  • 专利标题： Silicon nitride sintered body, method of producing the same, and silicon nitride circuit substrate and semiconductor module using the same
  • 专利标题（中）： 氮化硅烧结体及其制造方法，氮化硅电路基板及使用其的半导体模块
  • 申请号： US12737316
    申请日： 2009-07-03
  • 公开(公告)号： US08586493B2
    公开(公告)日： 2013-11-19
  • 发明人: Youichirou Kaga , Junichi Watanabe
  • 申请人： Youichirou Kaga , Junichi Watanabe
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： Hitachi Metals, Ltd.
  • 当前专利权人： Hitachi Metals, Ltd.
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 代理机构： Edwards Neils PLLC
  • 代理商 Paul F. Neils
  • 优先权： JP2008-174314 20080703
  • 国际申请： PCT/JP2009/062221 WO 20090703
  • 国际公布： WO2010/002001 WO 20100107
  • 主分类号： C04B35/584
  • IPC分类号： C04B35/584 ;  H01L23/15
Silicon nitride sintered body, method of producing the same, and silicon nitride circuit substrate and semiconductor module using the same
摘要：
A silicon nitride sintered body, wherein in a silicon nitride substrate consisting of crystal grains of β-type silicon nitride and a grain boundary phase containing at least one type of rare earth element (RE), magnesium (Mg) and silicon (Si), the grain boundary phase consists of an amorphous phase and a MgSiN2 crystal phase. The X-ray diffraction peak intensity of any crystal plane of a crystal phase containing the rare earth element (RE) is less than 0.0005 times the sum of the diffraction peak intensities of (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) and (002) of the crystal grains of the β-type silicon nitride; and the X-ray diffraction peak intensity of (121) of the MgSiN2 crystal phase is 0.0005 to 0.003 times the sum of the X-ray diffraction peak intensities of (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) and (002) of the crystal grains of the β-type silicon nitride.
摘要（中）：

一种氮化硅烧结体，其中，在由β型氮化硅的晶粒构成的氮化硅衬底和含有至少一种稀土元素（RE），镁（Mg）和硅（Si）的晶界相组成的氮化硅衬底中， 晶界相由非晶相和MgSiN 2结晶相组成。 包含稀土元素（RE）的晶相的任何晶面的X射线衍射峰强度小于（110），（200），（101），（210）的衍射峰强度之和的0.0005倍 ），（201），（310），（320）和（002） （110），（200），（101），（210），（210），（210）的X射线衍射峰强度之和为0.0005〜0.003倍，MgSiN2结晶相的（121）的X射线衍射峰强度为 201），（310），（320）和（002）。

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