中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Grant
US08609496B2 Method of fabricating semiconductor device comprising a dummy well 失效
制造包括虚拟阱的半导体器件的方法

Method of fabricating semiconductor device comprising a dummy well
Abstract:
Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device can include first transistors that include a first gate insulating layer having a first thickness and second transistors include a second gate insulating layer having a second thickness less than the first thickness. At least one of the transistors formed on the first or second gate insulating layers is directly over a dummy well.
Abstract(Chinese):

提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括第一晶体管，其包括具有第一厚度的第一栅极绝缘层，第二晶体管包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘层。 形成在第一或第二栅极绝缘层上的晶体管中的至少一个直接在虚拟阱上。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
Patent Agency Ranking
0/0