公开(公告)号：US20100140720A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12631109

申请日：2009-12-04

申请人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

发明人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823493

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device can include first transistors that include a first gate insulating layer having a first thickness and second transistors include a second gate insulating layer having a second thickness less than the first thickness. At least one of the transistors formed on the first or second gate insulating layers is directly over a dummy well.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括第一晶体管，其包括具有第一厚度的第一栅极绝缘层，第二晶体管包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘层。 形成在第一或第二栅极绝缘层上的晶体管中的至少一个直接在虚拟阱上。

公开(公告)号：US20120270376A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13542777

申请日：2012-07-06

申请人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

发明人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823493

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device can include first transistors that include a first gate insulating layer having a first thickness and second transistors include a second gate insulating layer having a second thickness less than the first thickness. At least one of the transistors formed on the first or second gate insulating layers is directly over a dummy well.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括第一晶体管，其包括具有第一厚度的第一栅极绝缘层，第二晶体管包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘层。 形成在第一或第二栅极绝缘层上的晶体管中的至少一个直接在虚拟阱上。

公开(公告)号：US08609496B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13542777

申请日：2012-07-06

申请人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

发明人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823493

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device can include first transistors that include a first gate insulating layer having a first thickness and second transistors include a second gate insulating layer having a second thickness less than the first thickness. At least one of the transistors formed on the first or second gate insulating layers is directly over a dummy well.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括第一晶体管，其包括具有第一厚度的第一栅极绝缘层，第二晶体管包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘层。 形成在第一或第二栅极绝缘层上的晶体管中的至少一个直接在虚拟阱上。

公开(公告)号：US08237230B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12631109

申请日：2009-12-04

申请人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

发明人： Dongyean Oh ,  Woon-kyung Lee

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823493

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device can include first transistors that include a first gate insulating layer having a first thickness and second transistors include a second gate insulating layer having a second thickness less than the first thickness. At least one of the transistors formed on the first or second gate insulating layers is directly over a dummy well.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括第一晶体管，其包括具有第一厚度的第一栅极绝缘层，第二晶体管包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘层。 形成在第一或第二栅极绝缘层上的晶体管中的至少一个直接在虚拟阱上。