发明授权
- 专利标题： Increasing photoresist processing throughput
- 专利标题（中）： 增加光刻胶处理量
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申请号： US11441767申请日： 2006-05-26
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公开(公告)号： US08617784B2公开(公告)日： 2013-12-31
- 发明人: David Fryer , Vivek Singh , Nikolay Suetin , Alex A. Granovsky
- 申请人： David Fryer , Vivek Singh , Nikolay Suetin , Alex A. Granovsky
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： G03F7/38
- IPC分类号： G03F7/38 ; G03F7/039
摘要：
Two acids may be formed per exposed photon using free radical promotion so that two acid products are produced via two parallel pathways. This results in increased fabrication facility throughput. In some embodiments, this may be achieved while reducing side-lobe defect liability.
公开/授权文献
- US20070275323A1 Increasing photoresist processing throughput 公开/授权日：2007-11-29
信息查询
IPC分类:
