发明授权
- 专利标题： Light-emitting device
- 专利标题（中）： 发光装置
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申请号： US13005719申请日： 2011-01-13
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公开(公告)号： US08629457B2公开(公告)日： 2014-01-14
- 发明人: Taro Nishiguchi , Makoto Sasaki , Shin Harada , Kyoko Okita , Hiroki Inoue , Shinsuke Fujiwara , Yasuo Namikawa
- 申请人： Taro Nishiguchi , Makoto Sasaki , Shin Harada , Kyoko Okita , Hiroki Inoue , Shinsuke Fujiwara , Yasuo Namikawa
- 申请人地址： JP Osaka-shi, Osaka
- 专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Osaka-shi, Osaka
- 代理机构： Drinker Biddle & Reath LLP
- 优先权： JP2010-006773 20100115
- 主分类号： H01L33/18
- IPC分类号： H01L33/18
摘要：
A silicon carbide substrate has a first layer facing a semiconductor layer and a second layer stacked on the first layer. Dislocation density of the second layer is higher than dislocation density of the first layer. Thus, quantum efficiency and power efficiency of a light-emitting device can both be high.
公开/授权文献
- US20110175108A1 LIGHT-EMITTING DEVICE 公开/授权日：2011-07-21
信息查询
IPC分类:
