发明授权
- 专利标题： Methods of forming nickel sulphide film on a semiconductor device
- 专利标题（中）： 在半导体器件上形成硫化镍膜的方法
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申请号： US13051745申请日： 2011-03-18
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公开(公告)号： US08659058B2公开(公告)日： 2014-02-25
- 发明人: Scott B. Clendenning , Niloy Mukherjee , Ravi Pillarisetty
- 申请人： Scott B. Clendenning , Niloy Mukherjee , Ravi Pillarisetty
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Winkle, PLLC
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772
摘要：
Embodiments of the present invention describe a method of forming nickel sulfide layer on a semiconductor device. A nickel sulfide layer is formed on a substrate by alternatingly exposing the substrate to a nickel-containing precursor and a sulfur-containing precursor.
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