发明授权
- 专利标题： Atomic layer deposition of quaternary chalcogenides
- 专利标题（中）： 原子层沉积的四元硫属化物
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申请号： US13631135申请日： 2012-09-28
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公开(公告)号： US08741386B2公开(公告)日： 2014-06-03
- 发明人: Elijah J. Thimsen , Shannon C. Riha , Alex B. F. Martinson , Jeffrey W. Elam , Michael J. Pellin
- 申请人： Elijah J. Thimsen , Shannon C. Riha , Alex B. F. Martinson , Jeffrey W. Elam , Michael J. Pellin
- 申请人地址： US IL Chicago
- 专利权人： Uchicago Argonne, LLC
- 当前专利权人： Uchicago Argonne, LLC
- 当前专利权人地址： US IL Chicago
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00
摘要：
Methods and systems are provided for synthesis and deposition of chalcogenides (including Cu2ZnSnS4). Binary compounds, such as metal sulfides, can be deposited by alternating exposures of the substrate to a metal cation precursor and a chalcogen anion precursor with purge steps between.
公开/授权文献
- US20140093645A1 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF QUATERNARY CHALCOGENIDES 公开/授权日：2014-04-03
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