发明授权
US08877299B2 Method for enhancing a substrate using gas cluster ion beam processing
有权
使用气体团簇离子束加工增强基体的方法
- 专利标题： Method for enhancing a substrate using gas cluster ion beam processing
- 专利标题（中）： 使用气体团簇离子束加工增强基体的方法
-
申请号： US12415867申请日： 2009-03-31
-
公开(公告)号： US08877299B2公开(公告)日： 2014-11-04
- 发明人: John J. Hautala , Nathan E. Baxter , Koji Yamashita
- 申请人： John J. Hautala , Nathan E. Baxter , Koji Yamashita
- 申请人地址： US MA Billerica
- 专利权人： TEL Epion Inc.
- 当前专利权人： TEL Epion Inc.
- 当前专利权人地址： US MA Billerica
- 代理机构： Wood, Herron & Evans, LLP
- 主分类号： C23C14/02
- IPC分类号： C23C14/02 ; H05H1/24 ; H01L21/263 ; H01J37/08 ; H01J37/317
摘要：
A method of enhancing a material layer on a substrate is described. The method comprises establishing a gas cluster ion beam (GCIB), and treating a host region of the substrate by exposing the host region of the substrate to the GCIB. The treatment with the GCIB may selectively remove an undesirable specie and/or introduce a desirable specie to the host region.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
