发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体装置及半导体装置的制造方法
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申请号： US14306327申请日： 2014-06-17
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公开(公告)号： US08928156B2公开(公告)日： 2015-01-06
- 发明人: Osamu Miyata , Masaki Kasai , Shingo Higuchi
- 申请人： Rohm Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Kyoto
- 专利权人： Rohm Co., Ltd.
- 当前专利权人： Rohm Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Kyoto
- 代理机构： Rabin & Berdo, P.C.
- 优先权： JP2004-332175 20041116; JP2005-007983 20050114; JP2005-188732 20050628; JP2005-224421 20050802
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/29
摘要：
An inventive semiconductor device includes a semiconductor chip having a passivation film, and a sealing resin layer provided over the passivation film for sealing a front side of the semiconductor chip. The sealing resin layer extends to a side surface of the passivation film to cover the side surface.
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