发明授权
- 专利标题： Photo detector consisting of tunneling field-effect transistors and the manufacturing method thereof
- 专利标题（中）： 由隧道场效应晶体管组成的光电探测器及其制造方法
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申请号： US13446834申请日： 2012-04-13
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公开(公告)号： US08969911B2公开(公告)日： 2015-03-03
- 发明人: Pengfei Wang , Xi Lin , Wei Wang , Xiaoyong Liu , Wei Zhang
- 申请人： Pengfei Wang , Xi Lin , Wei Wang , Xiaoyong Liu , Wei Zhang
- 申请人地址： CN Shanghai
- 专利权人： Fudan Univeristy
- 当前专利权人： Fudan Univeristy
- 当前专利权人地址： CN Shanghai
- 代理机构： Niro, Haller & Niro
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L31/111 ; H01L31/113 ; G02B6/42 ; H01L31/0232 ; H01L31/18
摘要：
The present invention belongs to the technical field of optical interconnection and relates to a photo detector, in particular to a photo detector consisting of tunneling field-effect transistors.
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