发明授权
US09105842B2 Method for manufacturing a carbon-based memory element and memory element
有权
用于制造碳基记忆元件和记忆元件的方法
- 专利标题： Method for manufacturing a carbon-based memory element and memory element
- 专利标题（中）： 用于制造碳基记忆元件和记忆元件的方法
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申请号： US13807422申请日： 2011-06-24
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公开(公告)号： US09105842B2公开(公告)日： 2015-08-11
- 发明人: Daniele Caimi , Evangelos S. Eleftheriou , Charalampos Pozidis , Christophe P. Rossel , Abu Sebastian
- 申请人： Daniele Caimi , Evangelos S. Eleftheriou , Charalampos Pozidis , Christophe P. Rossel , Abu Sebastian
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理机构： Cantor Colburn LLP
- 优先权： EP10167998 20100630; EP10168020 20100630
- 国际申请： PCT/IB2011/052790 WO 20110624
- 国际公布： WO2012/001599 WO 20120105
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L45/00 ; G11C13/00
摘要：
A method for manufacturing a resistive memory element includes providing a storage layer comprising a resistance changeable material, said resistance changeable material comprising carbon; providing contact layers for contacting the storage layer, wherein the storage layer is disposed between a bottom contact layer and a top contact layer; and doping the resistance changeable material with a dopant material.
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