发明授权
- 专利标题： Crack stopper on under-bump metallization layer
- 专利标题（中）： 在凸块下金属化层上的裂纹塞
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申请号： US13443556申请日： 2012-04-10
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公开(公告)号： US09159686B2公开(公告)日： 2015-10-13
- 发明人: Yu-Feng Chen , Chun-Hung Lin , Han-Ping Pu , Chih-Hang Tung , Kai-Chiang Wu , Ming-Che Ho
- 申请人： Yu-Feng Chen , Chun-Hung Lin , Han-Ping Pu , Chih-Hang Tung , Kai-Chiang Wu , Ming-Che Ho
- 申请人地址： TW
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人地址： TW
- 代理机构： Hauptman Ham, LLP
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00 ; H01L23/488
摘要：
A semiconductor die includes a crack stopper on an under-bump metallization (UBM) layer. The crack stopper is in the shape of hollow cylinder with at least two openings.
公开/授权文献
- US20130187277A1 CRACK STOPPER ON UNDER-BUMP METALLIZATION LAYER 公开/授权日：2013-07-25
信息查询
IPC分类:
