发明授权
US09162867B2 Through-silicon via resonators in chip packages and methods of assembling same
有权
通过芯片封装中的谐振器的通硅和组装方法
- 专利标题： Through-silicon via resonators in chip packages and methods of assembling same
- 专利标题（中）： 通过芯片封装中的谐振器的通硅和组装方法
-
申请号： US13977122申请日： 2011-12-13
-
公开(公告)号： US09162867B2公开(公告)日： 2015-10-20
- 发明人: Weng Hong Teh , Robert Bob L. Sankman
- 申请人： Weng Hong Teh , Robert Bob L. Sankman
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理商 John N. Greaves
- 国际申请： PCT/US2011/064567 WO 20111213
- 国际公布： WO2013/089673 WO 20130620
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; B81B3/00 ; B81C1/00 ; G01P15/135 ; H01L23/48 ; H01H1/00 ; H01L23/13 ; H01L23/498 ; H01L21/56 ; H01L23/00
摘要：
A process of forming a through-silicon via (TSV) in a die includes forming a movable member in the TSV that can be actuated or that can be a sensor. Action of the movable member in the TSV can result in a logic word being sent from the TSV die to a subsequent die. The TSV die may be embedded in a substrate. The TSV die may also be coupled to a subsequent die.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
