发明授权
- 专利标题： Field effect silicon carbide transistor
- 专利标题（中）： 场效应碳化硅晶体管
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申请号： US14240376申请日： 2012-03-30
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公开(公告)号： US09214516B2公开(公告)日： 2015-12-15
- 发明人: Toshiyuki Mine , Yasuhiro Shimamoto , Hirotaka Hamamura
- 申请人： Toshiyuki Mine , Yasuhiro Shimamoto , Hirotaka Hamamura
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Miles & Stockbridge P.C.
- 国际申请： PCT/JP2012/002224 WO 20120330
- 国际公布： WO2013/145023 WO 20131003
- 主分类号： H01L29/16
- IPC分类号： H01L29/16 ; H01L21/04 ; H01L29/66 ; H01L29/78 ; H01L29/792
摘要：
In a SiC-MOSFET power device for which a SiC substrate is used, a laminated insulating film having a charge-trapping characteristic is employed as a gate insulating film of the SiC-DiMOSFET, and charges are injected into the laminated insulating film, thereby suppressing a change in the gate threshold voltage.
公开/授权文献
- US20140217422A1 FIELD EFFECT SILICON CARBIDE TRANSISTOR 公开/授权日：2014-08-07
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