发明授权
- 专利标题： In2O3—SnO2—ZnO sputtering target
- 专利标题（中）： In2O3-SnO2-ZnO溅射靶
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申请号： US14116322申请日： 2012-05-07
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公开(公告)号： US09214519B2公开(公告)日： 2015-12-15
- 发明人: Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
- 申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP2011-105731 20110510
- 国际申请： PCT/JP2012/002985 WO 20120507
- 国际公布： WO2012/153507 WO 20121115
- 主分类号： H01B1/02
- IPC分类号： H01B1/02 ; H01L29/24 ; C04B35/01 ; C04B35/453 ; C04B35/457 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L21/02
摘要：
A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4).
公开/授权文献
- US20140103268A1 IN2O3-SNO2-ZNO SPUTTERING TARGET 公开/授权日：2014-04-17
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