发明授权
US09245760B2 Methods of forming epitaxial layers on a porous semiconductor layer
有权
在多孔半导体层上形成外延层的方法
- 专利标题： Methods of forming epitaxial layers on a porous semiconductor layer
- 专利标题（中）： 在多孔半导体层上形成外延层的方法
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申请号： US12895664申请日： 2010-09-30
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公开(公告)号： US09245760B2公开(公告)日： 2016-01-26
- 发明人: Anton Mauder , Hans-Joachim Schulze , Hans-Joerg Timme , Franz Hirler , Francisco Javier Santos Rodriguez
- 申请人： Anton Mauder , Hans-Joachim Schulze , Hans-Joerg Timme , Franz Hirler , Francisco Javier Santos Rodriguez
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/306 ; H01L21/02 ; H01L21/78 ; H01L29/78
摘要：
In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a first porous semiconductor layer over a top surface of a substrate. A first epitaxial layer is formed over the first porous semiconductor layer. A circuitry is formed within and over the first epitaxial layer. The circuitry is formed without completely oxidizing the first epitaxial layer.
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