发明授权
- 专利标题： High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 高电子迁移率晶体管及其制造方法
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申请号： US13534730申请日： 2012-06-27
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公开(公告)号： US09245947B2公开(公告)日： 2016-01-26
- 发明人: In-jun Hwang , Ki-ha Hong , Jae-joon Oh , Jong-bong Ha , Jong-seob Kim , Hyuk-soon Choi , Jai-kwang Shin
- 申请人： In-jun Hwang , Ki-ha Hong , Jae-joon Oh , Jong-bong Ha , Jong-seob Kim , Hyuk-soon Choi , Jai-kwang Shin
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., LTD.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce P.L.C.
- 优先权： KR10-2011-0063047 20110628
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335 ; H01L29/06 ; H01L29/66 ; H01L21/306 ; H01L21/3065 ; H01L29/20
摘要：
High electron mobility transistors (HEMTs) including a cavity below a drain and methods of manufacturing HEMTS including removing a portion of a substrate below a drain.
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