公开(公告)号：US20150255592A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14718968

申请日：2015-05-21

申请人： Young-jin CHO ,  Kyoung-yeon KIM ,  Sang-moon LEE ,  Ki-ha HONG ,  Eui-chul HWANG

发明人： Young-jin CHO ,  Kyoung-yeon KIM ,  Sang-moon LEE ,  Ki-ha HONG ,  Eui-chul HWANG

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02538 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/158 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device including a group III-V barrier and a method of manufacturing the semiconductor device, the semiconductor device including: a substrate, insulation layers formed to be spaced apart on the substrate, a group III-V material layer for filling the space between the insulation layers and having a portion protruding higher than the insulation layers, a barrier layer for covering the side and upper surfaces of the protruding portion of the group III-V material layer and having a bandgap larger than that of the group III-V material layer, a gate insulation film for covering the surface of the barrier layer, a gate electrode formed on the gate insulation film, and source and drain electrodes formed apart from the gate electrode. The overall composition of the group III-V material layer is uniform. The barrier layer may include a group III-V material for forming a quantum well.

公开(公告)号：US08513705B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12923126

申请日：2010-09-03

申请人： Jong-seob Kim ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Whang ,  Jai-kwang Shin

发明人： Jong-seob Kim ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Whang ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： Power electronic devices including 2-dimensional electron gas (2DEG) channels and methods of manufacturing the same. A power electronic device includes lower and upper material layers for forming a 2DEG channel, and a gate contacting an upper surface of the upper material layer. A region below the gate of the 2DEG channel is an off region where the density of a 2DEG is reduced or zero. The entire upper material layer may be continuous and may have a uniform thickness. A region of the upper material layer under the gate contains an impurity for reducing or eliminating a lattice constant difference between the lower and upper material layers.

摘要翻译： 包括二维电子气体（2DEG）通道的电力电子装置及其制造方法。 电力电子设备包括用于形成2DEG通道的下部和上部材料层，以及与上部材料层的上表面接触的栅极。 2DEG通道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的截止区域。 整个上部材料层可以是连续的并且可以具有均匀的厚度。 在栅极下方的上部材料层的区域包含用于减少或消除下部和上部材料层之间的晶格常数差的杂质。

公开(公告)号：US08487358B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12654349

申请日：2009-12-17

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254

摘要： Provided are spin field effect logic devices, the logic devices including: a gate electrode; a channel formed of a magnetic material above the gate electrode to selectively transmit spin-polarized electrons; a source on the channel; and a drain and an output electrode on the channel outputting electrons transmitted from the source. The gate electrode may control a magnetization state of the channel in order to selectively transmit the electrons injected from the source to the channel.

摘要翻译： 提供的是自旋场效应逻辑器件，逻辑器件包括：栅电极; 由栅电极上方的磁性材料形成的沟道，以选择性地透射自旋极化电子; 频道上的来源; 以及沟道上的漏极和输出电极，输出从源极发射的电子。 栅电极可以控制通道的磁化状态，以选择性地将从源引入的电子传输到通道。

公开(公告)号：US08480959B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13065000

申请日：2011-05-02

申请人： Ki-ha Hong ,  Hyuk-soon Choi ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Hyuk-soon Choi ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： G01N27/04 ,  G01N30/62

CPC分类号： G01N29/036 ,  G01N2291/0257 ,  Y10S977/957

摘要： Provided is a chemical sensor that may include a first electrode on a substrate, a sensing member covering the first electrode on the substrate, and a plurality of second electrodes on a surface of the sensing member exposing the surface of the sensing member. The chemical sensor may be configured to measure the change in electrical characteristics when a compound to be sensed is adsorbed on the sensing member. Provided also is a chemical sensor array including an array of chemical sensors.

摘要翻译： 提供了一种化学传感器，其可以包括在基板上的第一电极，覆盖基板上的第一电极的感测构件和暴露感测构件的表面的感测构件的表面上的多个第二电极。 化学传感器可以被配置为当要感测的化合物吸附在感测构件上时测量电特性的变化。 还提供了包括化学传感器阵列的化学传感器阵列。

公开(公告)号：US20120086049A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13222322

申请日：2011-08-31

申请人： In-jun Hwang ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh

发明人： In-jun Hwang ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462

摘要： According to an example embodiment, a high electron mobility transistor (HEMT) includes a substrate, a buffer layer on the substrate, a channel layer on the buffer layer, and a barrier structure on the channel layer. The buffer layer includes a 2-dimensional electron gas (2DEG). A polarization of the barrier structure varies in a region corresponding to a gate electrode. The HEMT further includes and the gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on the barrier structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，高电子迁移率晶体管（HEMT）包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层上的沟道层以及沟道层上的势垒结构。 缓冲层包括二维电子气（2DEG）。 势垒结构的极化在对应于栅电极的区域中变化。 HEMT还包括栅电极，源电极和屏障结构上的漏电极。

公开(公告)号：US20120037958A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13208671

申请日：2011-08-12

申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462

摘要： According to an example embodiment, a power electronic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer on a first surface of the first semiconductor layer, and a source, a drain, and a gate on the second semiconductor layer. The source, drain and gate are separate from one another. The power electronic device further includes a 2-dimensional electron gas (2DEG) region at an interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first insulating layer on the gate and a second insulating layer adjacent to the first insulating layer. The first insulating layer has a first dielectric constant and the second insulating layer has a second dielectric constant less than the first dielectric constant.

摘要翻译： 根据示例性实施例，功率电子器件包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上的第二半导体层以及第二半导体层上的源极，漏极和栅极。 源极，漏极和栅极彼此分开。 电力电子设备还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的界面处的二维电子气体（2DEG）区域，栅极上的第一绝缘层和与第一绝缘层相邻的第二绝缘层。 第一绝缘层具有第一介电常数，第二绝缘层具有小于第一介电常数的第二介电常数。

公开(公告)号：US07936028B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12081283

申请日：2008-04-14

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai Kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai Kwang Shin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/404 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L29/82

摘要： A spin field effect transistor may include at least one gate electrode, a channel layer, a first stack and a second stack separate from each other on a substrate, wherein the channel layer is formed of a half metal. The half metal may be at least one material selected from the group consisting of chrome oxide (CrO2), magnetite (Fe3O4), a double perovskite structure material, a Heusler alloy, NiMnSb, La(1-x)AxMnO3 (A=Ca, Ba, Sr, x˜0.3), and GaN doped with Cu, and the double perovskite structure material is expressed as a chemical composition of A2BB′O6, and a material corresponding to A is Ca, Sr, or Ba, a material corresponding to B is a 3d orbital transition metal, and a material corresponding to B′ is a 4d orbital transition metal. The 3d orbital transition metal may be Fe or Co, and the 4d orbital transition metal is Mo or Re.

摘要翻译： 自旋场效应晶体管可以包括在基板上彼此分离的至少一个栅电极，沟道层，第一堆叠和第二堆叠，其中沟道层由半金属形成。 半金属可以是选自氧化铬（CrO 2），磁铁矿（Fe 3 O 4），双钙钛矿结构材料，Heusler合金，NiMnSb，La（1-x）AxMnO 3（A = Ca， Ba，Sr，x〜0.3）和掺杂有Cu的GaN，双钙钛矿结构材料表示为A2BB'O6的化学组成，对应于A的材料为Ca，Sr或Ba，相当于 B是3d轨道过渡金属，对应于B'的材料是4d轨道过渡金属。 3d轨道过渡金属可以是Fe或Co，4d轨道过渡金属是Mo或Re。

公开(公告)号：US20110085368A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12659516

申请日：2010-03-11

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C11/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24

摘要： The non-volatile memory device may include a substrate, a plurality of first signal lines on the substrate in a vertical direction, a plurality of memory cells having ends connected to the plurality of first signal lines, a plurality of second signal lines perpendicular to the plurality of first signal lines on the substrate and each connected to other ends of the plurality of memory cells, and a plurality of selection elements on the substrate and connected to at least two of the plurality of first signal lines.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括衬底，在垂直方向上的衬底上的多个第一信号线，具有连接到多个第一信号线的端部的多个存储器单元，垂直于第一信号线的多个第二信号线 基板上的多个第一信号线，并且各自连接到多个存储单元的另一端，以及多个选择元件，并且连接到多个第一信号线中的至少两个。

公开(公告)号：US20110062448A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12923266

申请日：2010-09-13

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

摘要： Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing the same are provided, the field effect semiconductor devices include a second semiconductor layer on a first surface of a first semiconductor layer, a first and a second third semiconductor layer respectively on two sides of the second semiconductor layer, a source and a drain respectively on the first and second third semiconductor layer, and a gate electrode on a second surface of the first semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了场效应半导体器件及其制造方法，场效应半导体器件包括在第一半导体层的第一表面上的第二半导体层，以及分别在第二半导体层的两侧上的第一和第二第三半导体层 ，分别在第一和第二第三半导体层上的源极和漏极，以及在第一半导体层的第二表面上的栅电极。

公开(公告)号：US09450071B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US12923266

申请日：2010-09-13

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

摘要： Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing the same are provided, the field effect semiconductor devices include a second semiconductor layer on a first surface of a first semiconductor layer, a first and a second third semiconductor layer respectively on two sides of the second semiconductor layer, a source and a drain respectively on the first and second third semiconductor layer, and a gate electrode on a second surface of the first semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了场效应半导体器件及其制造方法，场效应半导体器件包括在第一半导体层的第一表面上的第二半导体层，以及分别在第二半导体层的两侧上的第一和第二第三半导体层 ，分别在第一和第二第三半导体层上的源极和漏极，以及在第一半导体层的第二表面上的栅电极。