发明授权
- 专利标题： Double gated flash memory
- 专利标题（中）： 双门控闪存
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申请号： US13206780申请日： 2011-08-10
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公开(公告)号： US09263132B2公开(公告)日： 2016-02-16
- 发明人: Shyue Seng Tan , Eng Huat Toh , Elgin Quek
- 申请人： Shyue Seng Tan , Eng Huat Toh , Elgin Quek
- 申请人地址： SG Singapore
- 专利权人： GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
- 当前专利权人： GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
- 当前专利权人地址： SG Singapore
- 代理机构： Ditthavong & Steiner, P.C.
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; G11C16/04 ; H01L21/28 ; H01L29/423 ; H01L29/66 ; H01L29/788 ; H01L27/115
摘要：
A split gate memory cell is fabricated with a fin structure between a memory gate stack and a select gate. Embodiments include a first channel region under the memory gate stack and a second channel region under the select gate.
公开/授权文献
- US20130037877A1 DOUBLE GATED FLASH MEMORY 公开/授权日：2013-02-14
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IPC分类:
