发明授权
- 专利标题： Carbonization of metal caps
- 专利标题（中）： 金属盖碳化
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申请号： US11786367申请日： 2007-04-11
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公开(公告)号： US09385034B2公开(公告)日： 2016-07-05
- 发明人: Hui-Lin Chang , Ting-Yu Shen , Yung-Cheng Lu
- 申请人： Hui-Lin Chang , Ting-Yu Shen , Yung-Cheng Lu
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： Slater Matsil, LLP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L29/40 ; H01L21/768
摘要：
An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a conductive wiring in the dielectric layer; and a metal carbide cap layer over the conductive wiring.
公开/授权文献
- US20080251928A1 Carbonization of metal caps 公开/授权日：2008-10-16