发明授权
US09418842B2 Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field-effect transistor, and method for manufacturing field-effect transistor
有权
用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，金属氧化物薄膜，场效应晶体管和制造场效晶体管的方法
- 专利标题： Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field-effect transistor, and method for manufacturing field-effect transistor
- 专利标题（中）： 用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，金属氧化物薄膜，场效应晶体管和制造场效晶体管的方法
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申请号： US14361150申请日： 2012-11-28
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公开(公告)号： US09418842B2公开(公告)日： 2016-08-16
- 发明人: Yuki Nakamura , Naoyuki Ueda , Yukiko Abe , Yuji Sone , Shinji Matsumoto , Mikiko Takada , Ryoichi Saotome
- 申请人： Yuki Nakamura , Naoyuki Ueda , Yukiko Abe , Yuji Sone , Shinji Matsumoto , Mikiko Takada , Ryoichi Saotome
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： RICOH COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： RICOH COMPANY, LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Cooper & Dunham LLP
- 优先权： JP2011-261991 20111130
- 国际申请： PCT/JP2012/081426 WO 20121128
- 国际公布： WO2013/081167 WO 20130606
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L29/786 ; H01L29/221 ; H01L29/66
摘要：
A coating liquid for forming a metal oxide thin film includes: an inorganic indium compound; an inorganic calcium compound or an inorganic strontium compound, or both thereof; and an organic solvent.
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