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US09431458B2 Semiconductor devices and methods of manufacturing the same 有权
半导体器件及其制造方法

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same
摘要：
A semiconductor device includes a first electrode on a substrate, a selection device pattern, a variable resistance layer pattern, a first protective layer pattern, a second protective layer pattern and a second electrode. The selection device pattern is wider, in a given direction, than the variable resistance layer pattern. The first protective layer pattern is formed on a first pair of opposite sides of the variable resistance layer pattern. The second protective layer pattern is formed on a second pair of opposite of the variable resistance layer pattern. The second electrode is disposed on the variable resistance layer pattern.
摘要（中）：

半导体器件包括衬底上的第一电极，选择器件图案，可变电阻层图案，第一保护层图案，第二保护层图案和第二电极。 选择装置图案在给定方向上比可变电阻层图案更宽。 第一保护层图案形成在可变电阻层图案的第一对相对侧上。 第二保护层图案形成在可变电阻层图案的第二对相对的第二保护层图案上。 第二电极设置在可变电阻层图案上。

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