发明授权
- 专利标题： High frequency circuit comprising graphene and method of operating the same
- 专利标题（中）： 包括石墨烯的高频电路及其操作方法
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申请号： US13543050申请日： 2012-07-06
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公开(公告)号： US09576916B2公开(公告)日： 2017-02-21
- 发明人: Hyeon-jin Shin , Jae-young Choi , Seong-chan Jun , Whan-kyun Kim , Hyung-seo Yoon , Ju-yeong Oh , Ju-hwan Lim
- 申请人： Hyeon-jin Shin , Jae-young Choi , Seong-chan Jun , Whan-kyun Kim , Hyung-seo Yoon , Ju-yeong Oh , Ju-hwan Lim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do KR Seoul
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.,INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.,INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do KR Seoul
- 代理机构： Cantor Colburn LLP
- 优先权： KR10-2011-0067971 20110708
- 主分类号： H01L23/66
- IPC分类号： H01L23/66 ; H01L23/532 ; H01L27/04
摘要：
A high frequency circuit includes a first electronic device, a second electronic device, and a graphene interconnection unit, where at least one of a trench and a via is defined under the graphene interconnection unit.
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