Invention Application
- Patent Title: 薄膜トランジスタ、回路装置および液晶ディスプレイ
- Patent Title (English): Thin film transistor, circuit device and liquid crystal display
- Patent Title (中): 薄膜晶体管，电路器件和液晶显示器
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Application No.: PCT/JP2003/002511Application Date: 2003-03-04
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Publication No.: WO2003081676A1Publication Date: 2003-10-02
- Inventor: 平松 雅人 , 松村 正清 , 西谷 幹彦 , 木村 嘉伸 , 山元 良高
- Applicant: 株式会社液晶先端技術開発センター , 平松 雅人 , 松村 正清 , 西谷 幹彦 , 木村 嘉伸 , 山元 良高
- Applicant Address: 〒244-0817 神奈川県 横浜市 戸塚区吉田町292番地 Kanagawa JP
- Assignee: 株式会社液晶先端技術開発センター,平松 雅人,松村 正清,西谷 幹彦,木村 嘉伸,山元 良高
- Current Assignee: 株式会社液晶先端技術開発センター,平松 雅人,松村 正清,西谷 幹彦,木村 嘉伸,山元 良高
- Current Assignee Address: 〒244-0817 神奈川県 横浜市 戸塚区吉田町２９２番地 Kanagawa JP
- Agency: 松永 宣行
- Priority: JP2002-82451 20020325
- Main IPC: H01L29/786
- IPC: H01L29/786
Abstract:
A thin film transistor comprising a one conductivity type semiconductor layer (11), a source region (12) and a drain region (13) provided in the semiconductor layer while spaced apart from each other, and a gate electrode (14) provided above or below the semiconductor layer through an insulation film, characterized in that the length (Ws) of a junction face of the source region and a channel region (16) provided between the source region and the drain region is different from the length (Wd) of a junction face of the channel region and the drain region.
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IPC分类:
