公开(公告)号：WO2003088331A1

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：PCT/JP2003/004717

申请日：2003-04-14

Applicant: 株式会社 液晶先端技術開発センター ,  木村 嘉伸 ,  松村 正清 ,  山元 良高 ,  西谷 幹彦 ,  平松 雅人 ,  十文字 正之 ,  中野 文樹

Inventor： 木村 嘉伸 ,  松村 正清 ,  山元 良高 ,  西谷 幹彦 ,  平松 雅人 ,  十文字 正之 ,  中野 文樹

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 基層上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程と、この非単結晶半導体薄膜にエネルギー線を照射して非単結晶半導体薄膜を構成している非単結晶半導体の結晶度を向上させるアニール工程とを有する薄膜半導体装置基板の製造方法である。前記アニール工程は、複数本のエネルギー線により、非単結晶半導体薄膜を同時に照射して、エネルギー線が照射される少なくとも１つの照射領域と、エネルギー線が照射されない少なくとも１つの非照射領域とを各々が有する多数のユニット領域を形成する。

Abstract translation: 一种制造薄膜半导体器件的衬底的方法，包括在基底层上形成非单晶半导体薄膜的步骤和用能量照射非单晶半导体薄膜的退火步骤 使得构成非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度增加。 在退火工序中，通过同时照射非单晶半导体薄膜，形成多个具有照射能量射线的照射区域和未照射能量射线的至少一个非照射区域的单位区域， 多个能量射线。

公开(公告)号：WO2003081676A1

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：PCT/JP2003/002511

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社液晶先端技術開発センター ,  平松 雅人 ,  松村 正清 ,  西谷 幹彦 ,  木村 嘉伸 ,  山元 良高

Inventor： 平松 雅人 ,  松村 正清 ,  西谷 幹彦 ,  木村 嘉伸 ,  山元 良高

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675

Abstract: A thin film transistor comprising a one conductivity type semiconductor layer (11), a source region (12) and a drain region (13) provided in the semiconductor layer while spaced apart from each other, and a gate electrode (14) provided above or below the semiconductor layer through an insulation film, characterized in that the length (Ws) of a junction face of the source region and a channel region (16) provided between the source region and the drain region is different from the length (Wd) of a junction face of the channel region and the drain region.

Abstract translation: 一种薄膜晶体管，包括设置在所述半导体层中的一个导电类型的半导体层（11），源极区（12）和漏极区（13），并且设置在所述半导体层上方的栅电极（14） 在半导体层的下方穿过绝缘膜，其特征在于，源极区域的接合面的长度（Ws）和设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域（16）的长度（W s）不同于 沟道区域和漏极区域的接合面。