公开(公告)号：WO2003088331A1

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：PCT/JP2003/004717

申请日：2003-04-14

Applicant: 株式会社 液晶先端技術開発センター ,  木村 嘉伸 ,  松村 正清 ,  山元 良高 ,  西谷 幹彦 ,  平松 雅人 ,  十文字 正之 ,  中野 文樹

Inventor： 木村 嘉伸 ,  松村 正清 ,  山元 良高 ,  西谷 幹彦 ,  平松 雅人 ,  十文字 正之 ,  中野 文樹

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 基層上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程と、この非単結晶半導体薄膜にエネルギー線を照射して非単結晶半導体薄膜を構成している非単結晶半導体の結晶度を向上させるアニール工程とを有する薄膜半導体装置基板の製造方法である。前記アニール工程は、複数本のエネルギー線により、非単結晶半導体薄膜を同時に照射して、エネルギー線が照射される少なくとも１つの照射領域と、エネルギー線が照射されない少なくとも１つの非照射領域とを各々が有する多数のユニット領域を形成する。

Abstract translation: 一种制造薄膜半导体器件的衬底的方法，包括在基底层上形成非单晶半导体薄膜的步骤和用能量照射非单晶半导体薄膜的退火步骤 使得构成非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度增加。 在退火工序中，通过同时照射非单晶半导体薄膜，形成多个具有照射能量射线的照射区域和未照射能量射线的至少一个非照射区域的单位区域， 多个能量射线。

公开(公告)号：WO2003081676A1

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：PCT/JP2003/002511

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社液晶先端技術開発センター ,  平松 雅人 ,  松村 正清 ,  西谷 幹彦 ,  木村 嘉伸 ,  山元 良高

Inventor： 平松 雅人 ,  松村 正清 ,  西谷 幹彦 ,  木村 嘉伸 ,  山元 良高

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675

Abstract: A thin film transistor comprising a one conductivity type semiconductor layer (11), a source region (12) and a drain region (13) provided in the semiconductor layer while spaced apart from each other, and a gate electrode (14) provided above or below the semiconductor layer through an insulation film, characterized in that the length (Ws) of a junction face of the source region and a channel region (16) provided between the source region and the drain region is different from the length (Wd) of a junction face of the channel region and the drain region.

Abstract translation: 一种薄膜晶体管，包括设置在所述半导体层中的一个导电类型的半导体层（11），源极区（12）和漏极区（13），并且设置在所述半导体层上方的栅电极（14） 在半导体层的下方穿过绝缘膜，其特征在于，源极区域的接合面的长度（Ws）和设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域（16）的长度（W s）不同于 沟道区域和漏极区域的接合面。

公开(公告)号：WO2010110179A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/JP2010/054724

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社フューチャービジョン ,  齊藤 裕 ,  野田 洋一 ,  山元 良高

Inventor： 齊藤　裕 ,  野田　洋一 ,  山元　良高

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13625 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 　ホトリソプロセス数を削減し、製造コストを低減したアクティブ素子基板とその製造方法、及びこの製造方法で製造したアクティブ素子基板を用いた表示装置を提供する。　表示装置を構成するアクティブ基板に画素を形成するプロセスに、アクティブ素子と表示電極を塗布方式で形成したホトレジスト膜又は黒色ホトレジスト膜をハーフトーン露光してバンク、或いはエッチングパターンを形成して絶縁膜を加工すると共に、透明導電膜やカラーフィルタをインクジェット法を用いて形成する。

Abstract translation: 本发明提供一种有源元件基板及其制造方法，其中减少了光刻工艺的数量并减少了制造成本，以及使用通过该制造方法制造的有源元件基板的显示装置。 在构成显示装置的有源基板上形成像素的工序中，通过涂布在有源元件和显示电极上形成的光致抗蚀剂膜或黑色光致抗蚀剂膜进行半色调曝光，形成堤或蚀刻 从而通过喷墨法形成绝缘膜和透明导电膜或滤色器。