Invention Application
- Patent Title: 半導体装置およびデータ書き込み方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and data writing method
- Patent Title (中): 半导体器件和数据写入方法
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Application No.: PCT/JP2004/014327Application Date: 2004-09-30
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Publication No.: WO2006038250A1Publication Date: 2006-04-13
- Inventor: 黒崎一秀
- Applicant: スパンション エルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 黒崎一秀
- Applicant Address: 940883453 カリフォルニア州サニーベイル ワン エイエムディ プレイス ピー・オー・ボックス 3453 California US
- Assignee: スパンション エルエルシー,Spansion Japan株式会社,黒崎一秀
- Current Assignee: スパンション エルエルシー,Spansion Japan株式会社,黒崎一秀
- Current Assignee Address: 940883453 カリフォルニア州サニーベイル ワン エイエムディ プレイス ピー・オー・ボックス 3453 California US
- Agency: 片山修平
- Main IPC: G11C16/10
- IPC: G11C16/10
Abstract:
チップサイズを増大させることなく、多ビットの同時書き込みを実現できる半導体装置を提供する。半導体装置は、メモリセルにデータを書き込むためのライトデータバスと、前記メモリセルからデータを読み出すためのリードデータバスと、高速書き込み時、前記リードデータバスを用いて前記メモリセルにデータを書き込む第1のライトアンプと、高速書き込み時、前記ライトデータバスを用いて前記メモリセルにデータを書き込む第2のライトアンプと、前記リードデータバスを用いて前記メモリセルからベリファイデータを読み出す第1のセンスアンプと、ライトデータバスを用いて前記メモリセルからベリファイデータを読み出す第2のセンスアンプとを含む。
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