本発明は、半導体基板（１０）上に設けられたゲート電極（３１）と、ゲート電極と半導体基板の間に形成され、ゲート電極（３１）の下に電荷蓄積領域を有するＯＮＯ膜（１８）と、半導体基板（１０）に埋め込まれ、低濃度拡散領域（２４）と、低濃度拡散領域（２４）の中心部に形成され低濃度拡散領域（２４）より不純物濃度が高い高濃度拡散領域（２２）と、ソース領域およびドレイン領域を含むビットライン（２８）と、を具備する半導体装置である。これにより、トランジスタのソース・ドレイン耐圧の向上、電気的特性の揺らぎの抑制若しくはビットラインと半導体基板の接合電流の抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。