半導体基板（１０）内に形成されたビットライン（１４）と、ビットライン（１４）上にビットライン（１４）の長手方向に連続して設けられた絶縁膜ライン（１８）と、ビットライン（１４）間の半導体基板（１０）上に設けられたゲート電極（１６）と、ゲート電極（１６）上に接して設けられ、ビットライン（１４）の幅方向に延在したワードライン（２０）と、ビットライン（１４）間でありワードライン（２０）間の半導体基板に形成されたトレンチ部（２２）と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。本発明によれば、ワードライン（１４）間の素子分離を行い、メモリセルの微細化が可能な半導体装置およびその製造方法を提供することができる。