半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、複数のレイヤのそれぞれでの配線パターンのパターンデータ群によって半導体デバイスの複数の配線の構成が記述された配線情報を用い、複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、候補配線の抽出において、パターンデータ群を用いた配線パターンの等電位追跡を行うことで、候補配線を抽出する。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムが実現される。