公开(公告)号：WO2007144971A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/JP2006/321067

申请日：2006-10-23

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

Inventor： 真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

IPC: G01R31/311 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01R31/311 ,  G01N21/95607 ,  G01R31/2894

Abstract: 　半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、半導体デバイスの複数のネットのうちで不良観察画像から設定された複数の解析領域の少なくとも１つを通過する候補ネット、及びその候補ネットの解析領域の通過回数を抽出し、通過回数が最も多い候補ネットを第１の不良ネットとして選択するとともに、第１の不良ネットが通過しない解析領域に着目して第２の不良ネットの選択を行う。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムが実現される。

Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息取得部（11） 布局信息获取单元，用于获取布局信息; 以及用于分析缺陷的缺陷分析单元（13）。 缺陷分析单元（13）提取通过多个半导体器件网络中的缺陷观察图像设定的分析区域中的至少一个的净候选和净候选者通过分析区域的数量，并选择净候选 具有最大次数的通过作为第一个有缺陷的网。 缺陷分析单元（13）关注第一缺陷网未通过的分析区域，以选择第二缺陷网。 这实现了能够通过使用缺陷观察图像可靠且有效地进行半导体器件缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，缺陷分析方法和缺陷分析程序。

公开(公告)号：WO2007144970A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/JP2006/321064

申请日：2006-10-23

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

Inventor： 真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

IPC: G01R31/311 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/95607 ,  G01N2021/95615

Abstract: 　半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、複数のレイヤのそれぞれでの配線パターンのパターンデータ群によって半導体デバイスの複数の配線の構成が記述された配線情報を用い、複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、候補配線の抽出において、パターンデータ群を用いた配線パターンの等電位追跡を行うことで、候補配線を抽出する。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムが実現される。

Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息取得部（11） 布局信息获取单元，用于获取布局信息; 以及用于分析缺陷的缺陷分析单元（13）。 缺陷分析单元（13）使用通过多层中的布线图案的图案数据组来描述半导体器件的多个布线配置的布线信息，以提取通过分析区域的线作为缺陷 多个布线中的布线候选。 当提取布线候选时，缺陷分析单元（13）通过使用图案数据组来执行诸如布线图案的电位轨迹，以提取候选布线。 这实现了能够通过使用缺陷观察图像可靠且有效地进行半导体器件缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，缺陷分析方法和缺陷分析程序。

公开(公告)号：WO2007144969A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/JP2006/321061

申请日：2006-10-23

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

Inventor： 真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

IPC: G01R31/311 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01R31/303

Abstract: 　半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像での輝度分布と、所定の輝度閾値とを比較することによって不良に起因する反応領域を抽出し、反応領域に対応して半導体デバイスの不良解析に用いられる解析領域を設定する解析領域設定部を有する。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムが実現される。

Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息取得部（11） 布局信息获取单元，用于获取布局信息; 以及用于分析半导体器件缺陷的缺陷分析单元（13）。 缺陷分析单元（13）具有分析区域设定单元，将缺陷观察图像中的亮度分布与预定亮度阈值进行比较，以提取由缺陷引起的反应区域，并设置用于缺陷分析的分析区域 根据反应区域的半导体器件。 这实现了能够通过使用缺陷观察图像可靠且有效地执行半导体器件缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，缺陷分析方法和缺陷分析程序。

公开(公告)号：WO2006137391A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：PCT/JP2006/312309

申请日：2006-06-20

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏 ,  武田 雅裕

Inventor： 真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏 ,  武田 雅裕

IPC: G01R31/302 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

Abstract: 　半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、解析結果の情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。これにより、半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムが実現される。

Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息获取单元（11），用于获取布局信息的布局信息获取单元（12），缺陷分析单元 （13），用于对半导体器件的缺陷进行分析;以及分析图像显示控制单元（14），用于在显示装置（40）中显示关于分析结果的信息。 缺陷分析单元（13）基于缺陷观察图像（P2）设定分析区域，提取网络以通过分析区域，形成包含在半导体装置的布局中的多个网络。 因此，可以实现可以可靠且有效地进行半导体装置的缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，分析方法和分析程序。