Invention Application
- Patent Title: 半導体装置及びその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and process for producing the same
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
-
Application No.: PCT/JP2007/073483Application Date: 2007-12-05
-
Publication No.: WO2009011077A1Publication Date: 2009-01-22
- Inventor: 平松 星紀 , 山本 圭 , 藤野 敦子 , 西村 隆 , 三村 研史 , 瀧川 秀記 , 塩田 裕基 , 谷口 信剛 , 吉田 博
- Applicant: 三菱電機株式会社 , 平松 星紀 , 山本 圭 , 藤野 敦子 , 西村 隆 , 三村 研史 , 瀧川 秀記 , 塩田 裕基 , 谷口 信剛 , 吉田 博
- Applicant Address: 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo JP
- Assignee: 三菱電機株式会社,平松 星紀,山本 圭,藤野 敦子,西村 隆,三村 研史,瀧川 秀記,塩田 裕基,谷口 信剛,吉田 博
- Current Assignee: 三菱電機株式会社,平松 星紀,山本 圭,藤野 敦子,西村 隆,三村 研史,瀧川 秀記,塩田 裕基,谷口 信剛,吉田 博
- Current Assignee Address: 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 Tokyo JP
- Agency: 曾我 道治 et al.
- Priority: JP2007-185742 20070717
- Main IPC: H01L23/36
- IPC: H01L23/36
Abstract:
本発明は、ベース板と、前記ベース板の上面に配置された熱伝導性樹脂層と、前記熱伝導性樹脂層の上面に配置された、電極及び前記電極の側面全体を被覆する絶縁性樹脂層を含む一体化層と、前記電極の上面に配置された半導体素子とを具備する半導体装置であって、前記一体化層が、前記熱伝導性樹脂層を介して前記ベース板と熱圧着にて接着されていることを特徴とする半導体装置である。かかる本発明の半導体装置は、絶縁性及び信頼性に優れている。
Information query
IPC分类:
