本発明は、データを記憶する双安定回路３０と、双安定回路３０に記憶されたデータを強磁性電極フリー層の磁化方向に応じ不揮発的にストアする強磁性トンネル接合素子ＭＴＪ１およびＭＴＪ２と、を具備し、強磁性トンネル接合素子ＭＴＪ１およびＭＴＪ２に不揮発的に記憶されたデータを双安定回路３０にリストア可能である記憶回路である。本発明によれば、双安定回路３０へのデータの書き込みおよび読み出しを高速に行うことができる。また、電源が遮断されても強磁性トンネル接合素子ＭＴＪ１およびＭＴＪ２に不揮発的にストアされたデータを双安定回路３０にリストアすることが可能である。