公开(公告)号：WO2008123321A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：PCT/JP2008/055769

申请日：2008-03-26

Applicant: 国立大学法人東京工業大学 ,  菅原聡 ,  高村陽太

Inventor： 菅原聡 ,  高村陽太

IPC: H01L29/82 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  H01F10/12 ,  H01F41/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01F10/1936 ,  C22C19/07 ,  H01F41/22 ,  H01F41/32 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66984

Abstract: 　本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。

Abstract translation: 提供一种形成铁磁体的方法。 该方法具有在形成在反应抑制层（14）上的半导体层（16）上形成磁性元件层（20）的步骤。 以及通过对所述半导体层（16）和所述磁性体层（20）进行热处理而在所述反应抑制层（14）上形成铁磁层（即Heusler合金层）的步骤， 层对彼此反应。 还提供了晶体管和制造晶体管的方法。 用于半导体和磁性元件之间的反应供给的半导体受抑制半导体层与磁性体层之间的反应的反应抑制层的限制，可以形成磁性元件相对比例高的铁磁体。

公开(公告)号：WO2009128250A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：PCT/JP2009/001708

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社 東芝 ,  渡辺庄一 ,  熊埜御堂宏徳 ,  三橋偉司 ,  菅原聡 ,  植田精

Inventor： 渡辺庄一 ,  熊埜御堂宏徳 ,  三橋偉司 ,  菅原聡 ,  植田精

IPC: G21C3/62

CPC classification number: G21C3/62 ,  G21C3/623 ,  G21C21/02 ,  Y02E30/38

Abstract: 　燃料集合体を形成する燃料棒１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９のうち、５％を超える濃縮度のウランの酸化物を含有する低ガドリニア入燃料棒１６，１７，１８には、Ｇｄ複合酸化物が添加されている。Ｇｄ複合酸化物とは、ガドリニウムとガドリニウムを除く希土類元素Ａとの化学式Ａ １－Ｘ Ｇｄ Ｘ Ｏ ２－０．５Ｘ または化学式Ａ １－Ｘ Ｇｄ Ｘ Ｏ １．５ で表わされる酸化物である。希土類元素Ａとしては、セリウムＣｅ、ランタンＬａ、エルビウムＥｒなどを用いることができる。

Abstract translation: 在构成燃料组件的燃料棒（13,14,15,16,17,18,19）中，添加有低钆添加燃料棒（16,17,18），每个燃料棒含有具有缩合度的铀氧化物 超过5％含有Gd复合氧化物。 Gd复合氧化物是含有钆和钆以外的稀土元素A的氧化物，由化学式A1-XGdXO2-0.5X或A1-XGdXO1.5表示。 稀土元素A可以是铈（Ce），镧（La），铒（Er）等。

公开(公告)号：WO2009028297A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/JP2008/063786

申请日：2008-07-31

Applicant: 国立大学法人東京工業大学 ,  菅原聡 ,  山本修一郎

Inventor： 菅原聡 ,  山本修一郎

IPC: H01L21/822 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 　本発明は、電界効果トランジスタ２０と、電界効果トランジスタ２０のソースＳに接続された磁気抵抗素子１０と、を具備する電子回路である。本発明によれば、磁気抵抗素子１０の磁化状態により、電界効果トランジスタ２０のゲート－ソース間に印加される電圧を制御できる。電界効果トランジスタ２０の電流駆動能力をの磁化状態で制御できることから擬似的にスピントランジスタとしての動作が可能となる。また、電界効果トランジスタ２０と磁気抵抗素子１０から電子回路を構成するため、容易に製造することができる。

Abstract translation: 公开了一种电子电路，其包括与场效应晶体管（20）的源极（S）连接的场效应晶体管（20）和磁阻器件（10）。 在该电子电路中，施加在场效应晶体管（20）的栅极和源极之间的电压可以由磁阻器件（10）的磁化状态来控制。 由于场效应晶体管（20）的电流驱动能力可以通过磁化状态来控制，所以可以以伪方式实现自旋晶体管的操作。 此外，该电子电路可以容易地制造，因为它由场效应晶体管（20）和磁阻器件（10）组成。

公开(公告)号：WO2009028298A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/JP2008/063787

申请日：2008-07-31

Applicant: 国立大学法人東京工業大学 ,  山本修一郎 ,  菅原聡

Inventor： 山本修一郎 ,  菅原聡

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/41

CPC classification number: G11C14/0081

Abstract: 　本発明は、データを記憶する双安定回路３０と、双安定回路３０に記憶されたデータを強磁性電極フリー層の磁化方向に応じ不揮発的にストアする強磁性トンネル接合素子ＭＴＪ１およびＭＴＪ２と、を具備し、強磁性トンネル接合素子ＭＴＪ１およびＭＴＪ２に不揮発的に記憶されたデータを双安定回路３０にリストア可能である記憶回路である。本発明によれば、双安定回路３０へのデータの書き込みおよび読み出しを高速に行うことができる。また、電源が遮断されても強磁性トンネル接合素子ＭＴＪ１およびＭＴＪ２に不揮発的にストアされたデータを双安定回路３０にリストアすることが可能である。

Abstract translation: 存储电路包括用于存储数据的双稳态电路（30）和铁磁隧道结元件（MTJ1，MTJ2），用于以非易失性方式存储与双磁体（30）的磁化方向对应的双稳态电路（30）中存储的数据 无电极层。 存储器电路能够以非易失性方式将存储在铁磁隧道结元件（MTJ1，MTJ2）中的数据恢复到双稳态电路（30）中。 这使得可以高速地将数据写入和从双稳态电路（30）读取数据。 即使当电源中断时，以非易失性方式存储在铁磁隧道结元件（MTJ1，MTJ2）中的数据也可以恢复到双稳态电路（30）中。

公开(公告)号：WO2006100835A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：PCT/JP2006/301744

申请日：2006-02-02

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  田中雅明 ,  菅原聡 ,  ファム ナム ハイ

Inventor： 田中雅明 ,  菅原聡 ,  ファム ナム ハイ

IPC: H03K19/18 ,  H01L29/82 ,  H03K19/173 ,  H03K19/20

CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/7613 ,  H03K19/08

Abstract: ソース（１０２）と、ドレイン（１０４）と、前記ソースと前記ドレインに間に配置され、前記ソースと前記ドレインそれぞれの間にトンネル接合（１０３、１０５）を有する島（１０１）と、該島に容量結合したゲート（１０６）と、を具備し、前記ソース、前記ドレインおよび前記島の少なくとも１つが磁化方向の変更可能な強磁性体を含む単電子スピントランジスタ（１００）を具備し、機能を不揮発的に再構成可能な論理回路および単電子スピントランジスタ。

Abstract translation: 单电子自旋晶体管（100）包括源极（102），漏极（104），分别设置在源极和漏极之间的岛（101）和源极与漏极之间的隧道结（103,105） 以及电容耦合到所述岛的门（106）。 源极，漏极和岛中的至少一个包括可以改变其磁化方向的铁磁体。 提供这种单电子自旋晶体管并且功能是以非易失性方式重构的逻辑电路，并且提供单电子自旋晶体管。