Invention Application
WO2009057769A1 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
审中-公开
新型磺酸盐及其衍生物,光致发生剂,耐光材料和图案形成方法,使用光致发生剂
- Patent Title: 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
- Patent Title (English): Novel sulfonic acid salt and derivative thereof, photoacid generator agent, and resist material and pattern formation method using the photoacid generator agent
- Patent Title (中): 新型磺酸盐及其衍生物,光致发生剂,耐光材料和图案形成方法,使用光致发生剂
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Application No.: PCT/JP2008/069928Application Date: 2008-10-31
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Publication No.: WO2009057769A1Publication Date: 2009-05-07
- Inventor: 前田 一彦 , 磯野 芳美 , 成塚 智
- Applicant: セントラル硝子株式会社 , 前田 一彦 , 磯野 芳美 , 成塚 智
- Applicant Address: 〒7550001 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 Yamaguchi JP
- Assignee: セントラル硝子株式会社,前田 一彦,磯野 芳美,成塚 智
- Current Assignee: セントラル硝子株式会社,前田 一彦,磯野 芳美,成塚 智
- Current Assignee Address: 〒7550001 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 Yamaguchi JP
- Agency: 橋本 剛 et al.
- Priority: JP2007-285566 20071101
- Main IPC: C07C309/12
- IPC: C07C309/12 ; C07C381/12 ; C07D207/46 ; C08L27/12 ; C08L45/00 ; G03F7/004 ; G03F7/039 ; H01L21/027 ; C08L33/04
Abstract:
下記一般式(A)で示される構造を有する含フッ素スルホン酸塩もしくは、含フッ素スルホン酸基含有化合物が開示されている。 【化101】 式中、nは1~10の整数を示す。Rは置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。aは1又は0である。前記含フッ素スルホン酸塩もしくは含フッ素スルホン酸基含有化合物を含む光酸発生剤はArFエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸(光発生酸)の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する。
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