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    レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
    1.
    发明申请
    レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023063203A1

    公开(公告)日：2023-04-20

    申请号：PCT/JP2022/037395

    申请日：2022-10-06

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 加藤　広樹 ,  石井　秀一 ,  藤波　哲郎

    IPC分类号： C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C08F12/30 ,  C08F20/38 ,  C08F112/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

    摘要： 露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物（式中、Ｗは重合性基である。Ａｒは、芳香族炭化水素基である。－ＯＨは、ヒドロキシ基である。Ｌａ０は、２価の連結基である。Ｙａ０は、単結合又は２価の連結基である。Ｒａ０１及びＲａ０２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素化アルキル基である。ｎ０は、１～４の整数である。ｍは１以上の整数であって、Ｍｍ＋はｍ価の有機カチオンである）。

    感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法
    3.
    发明申请
    感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022190599A1

    公开(公告)日：2022-09-15

    申请号：PCT/JP2022/000063

    申请日：2022-01-05

    申请人： ＪＳＲ株式会社

    发明人： 丸山　研

    IPC分类号： C07C59/115 ,  C07C61/29 ,  C07C381/12 ,  C07J9/00 ,  C08F220/28 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

    摘要： 次世代技術を適用した場合にも、感度やＣＤＵ性能、現像残渣抑制性を十分なレベルで有するレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供する。下記式（１）で表される構造単位を含む樹脂と、有機酸アニオン部分とオニウムカチオン部分とを含む一種又は二種以上のオニウム塩と、溶剤とを含有し、上記オニウム塩における少なくとも一部の上記オニウムカチオン部分がフッ素原子を有する芳香環構造を含む感放射線性樹脂組成物。（上記式（１）において、Ｒは水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基であり、Ｙ１は２価の連結基であり、Ｘ１は酸解離性基である。）

    感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法、並びに、スルホニウム塩化合物及びそれを含む感放射線性酸発生剤
    4.
    发明申请
    感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法、並びに、スルホニウム塩化合物及びそれを含む感放射線性酸発生剤 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022172685A1

    公开(公告)日：2022-08-18

    申请号：PCT/JP2022/001062

    申请日：2022-01-14

    申请人： ＪＳＲ株式会社

    发明人： 根本　龍一 ,  古川　剛 ,  稲見　甫 ,  岡嵜　聡司

    IPC分类号： C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07C381/12 ,  C07D317/70 ,  C07D317/72 ,  C07D321/06 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C08F20/10 ,  C07D493/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07D307/00

    摘要： 次世代露光技術を適用した場合でも、露光工程における感度やＬＷＲ性能、ＣＤＵ性能等において優れた性能を有するレジストパターンの形成方法及び感放射線性樹脂組成物等を提供する。　下記式（１）で表されるスルホニウム塩化合物、　（式中、　Ｒ１は、環状構造を有する１価の炭化水素基であって、炭化水素基を構成するメチレン基がエーテル結合に置き換わっていても良い。　Ｒｆ１及びＲｆ2は、それぞれ独立して、フッ素原子、又は、１価のフッ素化炭化水素基である。　ｍ１は、１～４の整数であって、ｍ１が２～４の場合には、複数のＲｆ１及びＲｆ2は、一部又は全部が同一又は異なる。　Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、１価の炭化水素基、又は、１価のフッ素化炭化水素基である。　ｍ２は、０～３の整数であって、ｍ２が２～３の場合には、複数のＲ２及びＲ３は、一部又は全部が同一又は異なる。　Ｘは、単結合、又は２価のヘテロ原子を含むリンカーである。　Ｒ４～Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、１価の炭化水素基、又は、エステル基である。　ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、１～３の整数であって、複数のＲ４～Ｒ７は、一部又は全部が同一又は異なる。　Ｒ８は、１価の鎖状炭化水素基、１価の脂環式炭化水素基、１価のフッ化炭化水素基、ハロゲン原子、１価の芳香族炭化水素基、又は、－Ｙ－Ｒ８'で表される１価の基である。（Ｙは、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－を表し、Ｒ８'は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。）　ｌは、０～５の整数であって、ｌが２～５の場合には、複数のＲ８は、一部又は全部が同一又は異なる。）　酸解離性基を有する構造単位を含む樹脂、及び、　溶剤 を含有する、感放射線性樹脂組成物。

    スルホニウム塩、光酸発生剤、硬化性組成物およびレジスト組成物
    9.
    发明申请
    スルホニウム塩、光酸発生剤、硬化性組成物およびレジスト組成物 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019225185A1

    公开(公告)日：2019-11-28

    申请号：PCT/JP2019/015390

    申请日：2019-04-09

    申请人： サンアプロ株式会社

    发明人： 中尾　拓人 ,  高嶋　祐作

    IPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/04 ,  C07C309/06 ,  C07C309/19 ,  C07C309/30 ,  C07F5/00 ,  C07F5/02 ,  C07F9/28 ,  C08F4/32 ,  C08G59/68 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

    摘要： ｉ線に高い光感応性を有する新たなスルホニウム塩及びｉ線に高い光感応性を有し、かつエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高く、その配合物において貯蔵安定性の優れたスルホニウム塩を含んでなる、新たな光酸発生剤等を提供する。本発明は、下記一般式（１）で示されるスルホニウム塩及び該スルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤等である。 ［式（１）中、Ｒはアルキル基またはアリール基を表し、置換基Ｒ１～Ｒ５は互いに独立して、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、又はハロゲン原子を表し、Ｒ６～Ｒ９は互いに独立して、アルキル基、アリール基又は水素原子を表す。ｍ１～ｍ５はそれぞれＲ１～Ｒ５の個数を表し、ｍ１及びｍ４は０～３の整数、ｍ２及びｍ５は０～４の整数、ｍ３は０～５の整数を表し、Ｘ － は一価の多原子アニオンを表す。]