新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
    1.
    发明申请
    新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 审中-公开
    新型磺酸盐及其衍生物,光致发生剂,耐光材料和图案形成方法,使用光致发生剂

    公开(公告)号:WO2009057769A1

    公开(公告)日:2009-05-07

    申请号:PCT/JP2008/069928

    申请日:2008-10-31

    Abstract:  下記一般式(A)で示される構造を有する含フッ素スルホン酸塩もしくは、含フッ素スルホン酸基含有化合物が開示されている。 【化101】 式中、nは1~10の整数を示す。Rは置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。aは1又は0である。前記含フッ素スルホン酸塩もしくは含フッ素スルホン酸基含有化合物を含む光酸発生剤はArFエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸(光発生酸)の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する。

    Abstract translation: 公开了具有由通式(A)表示的结构的氟化磺酸盐或具有氟化磺酸盐基团的化合物。 (A)其中n表示1〜10的整数, R表示取代或未取代的具有1至20个碳原子的直链,支链或环状烷基,取代或未取代的具有1至20个碳原子的直链,支链或环状烯基,取代或未取代的碳原子数6〜15的芳基 ,或碳原子数为4〜15的杂芳基。 a表示1或0的数字。包含氟化磺酸盐或具有氟化磺酸盐基团的化合物的光酸产生剂对ArF准分子激光束等高度敏感,不考虑在 人体可以产生具有足够高酸度的酸(光酸),在抗蚀剂溶剂中具有高溶解度,并且与树脂高度相容。

    イオン性錯体の合成法
    2.
    发明申请
    イオン性錯体の合成法 审中-公开
    用于合成离子复合物的方法

    公开(公告)号:WO2006087889A1

    公开(公告)日:2006-08-24

    申请号:PCT/JP2006/301017

    申请日:2006-01-24

    Abstract: 式(1)で示される化学構造式を有するイオン性錯体を合成するために、式(2)で示される化合物と式(3)で示される化合物の少なくともどちらか一方と、式(4)又は式(5)で示されるハロゲン含有化合物とを、有機溶媒中において、反応助剤として周期律表の1族、2族、13族、又は14族元素を含む化合物の存在下で反応させる。

    Abstract translation: 为了合成具有由下式(1)表示的化学结构的离子络合物,将式(2)表示的化合物和由式(3)表示的化合物中的至少一种与含卤素的化合物 在由含有第1,2,3,13或14族元素的化合物构成的反应助剂的存在下,在有机溶剂中通过式(4)或式(5)表示。

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