发明申请
- 专利标题： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL
- 专利标题（英）： Method for producing micromechanical structures having a protruding lateral wall progression or an adjustable angle of inclination
- 专利标题（中）： 用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法
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申请号： PCT/EP2008/063703申请日： 2008-10-13
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公开(公告)号： WO2009059868A2公开(公告)日： 2009-05-14
- 发明人: LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
- 申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
- 申请人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 专利权人： ROBERT BOSCH GMBH,LAERMER, Franz,FUCHS, Tino,LEINENBACH, Christina
- 当前专利权人： ROBERT BOSCH GMBH,LAERMER, Franz,FUCHS, Tino,LEINENBACH, Christina
- 当前专利权人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 代理机构： ROBERT BOSCH GMBH
- 优先权： DE102007052661.1 20071105
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00
摘要：
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
