利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

15 条记录 (耗时 0.013 秒)

    TRANSISTOR COMPRISING A CERAMIC AND AN IONOGEL
    1.
    发明申请
    TRANSISTOR COMPRISING A CERAMIC AND AN IONOGEL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020130946A1

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：PCT/SG2019/050624

    申请日：2019-12-19

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  ERSOEZ, Bora ,  PALALE, Suresh ,  FUCHS, Tino ,  DAVES, Walter

    发明人： ERSOEZ, Bora ,  PALALE, Suresh ,  FUCHS, Tino ,  DAVES, Walter

    IPC分类号： G01N27/414

    摘要： The present disclosure provides for a transistor for detecting gases in the ambient air comprising a plurality of electrodes with one electrode being a gate electrode; further at least one electrode being individually coated by a ceramic, wherein an ionogel is connecting all electrodes with each other, the ionogel being an ionic liquid immobilized by a matrix. It also provides for use of a transistor as defined above as an air-quality sensor. It also provides for a process for making a transistor, the process comprising: providing a plurality of electrodes, wherein one of the electrodes is a gate electrode (110); individually depositing a ceramic precursor on at least one of the plurality of electrodes (130); and connecting the plurality of electrodes with an ionogel, the ionogel being an ionic liquid immobilized by a matrix (140). It also provides a transistor produced by the process (100) as defined above.

    MICROELECTROMECHANICAL SENSOR ELEMENT
    2.
    发明申请
    MICROELECTROMECHANICAL SENSOR ELEMENT 审中-公开
    微机电传感器元件

    公开(公告)号：WO2009156201A3

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：PCT/EP2009054796

    申请日：2009-04-22

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  BEHNEL NILS RASMUS ,  KRAUSS ANDREAS ,  LAERMER FRANZ ,  FLIK GOTTFRIED ,  FUCHS TINO ,  WOLFF JANPETER

    发明人： BEHNEL NILS RASMUS ,  KRAUSS ANDREAS ,  LAERMER FRANZ ,  FLIK GOTTFRIED ,  FUCHS TINO ,  WOLFF JANPETER

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： G01L19/04 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/0069 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/698

    摘要： The invention relates to a structurally simple microelectromechanical sensor element that can be produced at a low cost and is particularly suitable for use in a particle-containing environment. Said microelectromechanical sensor element (10) comprises a membrane (11) as a carrier of at least one sensor function. According to the invention, heating means (16, 17) are provided which heat the membrane (11) to a temperature exceeding the ambient temperature and maintain the membrane at said temperature level, thus preventing particles from attaching to and substances from being deposited on the membrane.

    摘要翻译： 它提出了一种结构简单且廉价地制造微机电传感器元件，这是特别适合于在含有颗粒的环境中使用。 此微机电传感器元件（10）包括一个膜片（11）作为载体的至少一个传感器的功能。 根据本发明，加热装置设置（16,17），与所述膜（11）被加热到高于环境温度的温度，并且维持在该温度水平。 防止颗粒的表征积累和物质在膜上的沉积。

    MAGNETFELDSENSOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MAGNETFELDSENSORS
    5.
    发明申请
    MAGNETFELDSENSOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MAGNETFELDSENSORS 审中-公开
    磁传感器以及产生磁场传感器的方法

    公开(公告)号：WO2011020678A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：PCT/EP2010/060780

    申请日：2010-07-26

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  SCHATZ, Frank ,  FUCHS, Tino ,  FEYH, Ando

    发明人： SCHATZ, Frank ,  FUCHS, Tino ,  FEYH, Ando

    IPC分类号： G01R33/04

    CPC分类号： G01R33/04 ,  H01F27/2804 ,  Y10T29/49073

    摘要： Es wird ein Magnetometer mit einem Substrat und einem Magnetkern vorgeschlagen, wobei das Substrat eine Anregungsspule zur Erzeugung eines magnetischen Flusses im Magnetkern aufweist und wobei die Anregungsspule einen Spulenquerschnitt aufweist, welcher im Wesentlichen senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats ausgerichtet ist und wobei ferner der Magnetkern außerhalb des Spulenquerschnitts angeordnet ist.

    摘要翻译： 所以建议包括衬底和磁芯，磁力计，其中所述衬底包括在磁芯产生的磁通的励磁线圈，并且其中所述激励线圈具有线圈的横截面基本上垂直于所述衬底的主延伸平面且进一步其中所述磁芯外 线圈的横截面布置。

    MIKRO-ELEKTROMECHANISCHES SENSORELEMENT
    6.
    发明申请
    MIKRO-ELEKTROMECHANISCHES SENSORELEMENT 审中-公开
    微机电传感器元件

    公开(公告)号：WO2009156201A2

    公开(公告)日：2009-12-30

    申请号：PCT/EP2009/054796

    申请日：2009-04-22

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  Behnel, Nils Rasmus ,  Krauss, Andreas ,  Laermer, Franz ,  Flik, Gottfried ,  Fuchs, Tino ,  Wolff, Janpeter

    发明人： Behnel, Nils Rasmus ,  Krauss, Andreas ,  Laermer, Franz ,  Flik, Gottfried ,  Fuchs, Tino ,  Wolff, Janpeter

    IPC分类号： B81B7/00

    CPC分类号： G01L19/04 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/0069 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/698

    摘要： Es wird ein konstruktiv einfaches und kostengünstig herstellbares mikro-elektromechanisches Sensorelement vorgeschlagen, das besonders gut für den Einsatz in einer partikelhaltigen Umgebung geeignet ist. Dieses mikro-elektromechanische Sensorelement (10) umfasst eine Membran (11) als Träger mindestens einer Sensorfunktion. Erfindungsgemäß sind Heizmittel (16, 17) vorgesehen, mit denen die Membran (11) auf eine Temperatur oberhalb der Umgebungstemperatur aufgeheizt wird und auf diesem Temperaturniveau gehalten wird. Dadurch wird Anlagerung von Partikeln und die Abscheidung von Substanzen auf der Membran verhindert.

    摘要翻译： 它提出了一种结构简单且廉价地制造微机电传感器元件，这是特别适合于在含有颗粒的环境中使用。 此微机电传感器元件（10）包括一个膜片（11）作为载体的至少一个传感器的功能。 根据本发明，加热装置设置（16,17），与所述膜（11）被加热到高于环境温度的温度，并且维持在该温度水平。 防止颗粒的表征积累和物质在膜上的沉积。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL 审中-公开
    用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法

    公开(公告)号：WO2009059868A2

    公开(公告)日：2009-05-14

    申请号：PCT/EP2008/063703

    申请日：2008-10-13

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  LAERMER, Franz ,  FUCHS, Tino ,  LEINENBACH, Christina

    发明人： LAERMER, Franz ,  FUCHS, Tino ,  LEINENBACH, Christina

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00103 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0136

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.

    摘要翻译：

    本发明涉及一种用于制造具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）的微机械结构的现有或沉积SiGe混合半导体层（3A ，3B，30，30A，30B，50）通过干化学BEAR tzen SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）出来BEAR TZT通过改变锗比例，得到微机械结构的侧壁轮廓 的约AUML; tzenden SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的形式，其中，ST＆AUML; rker承受tzenden一个H＆ouml的领域;本herer锗含量，这是在硅锗中的锗比例的变化 - 混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），通过这样的方法＆AUML选择;由包含SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），其具有变种的沉积组HLT iierendem锗含量，引入锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B， 50）和/或通过热氧化SiGe混合半导体层（3a，3b，30,30a，30b，50）

    METHOD FOR PRODUCING MICROMECHANICAL STRUCTURES HAVING A PROTRUDING LATERAL WALL PROGRESSION OR AN ADJUSTABLE ANGLE OF INCLINATION
    10.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING MICROMECHANICAL STRUCTURES HAVING A PROTRUDING LATERAL WALL PROGRESSION OR AN ADJUSTABLE ANGLE OF INCLINATION 审中-公开
    用于生产微机械结构救济侧壁或性能角度可调

    公开(公告)号：WO2009059868A3

    公开(公告)日：2009-09-17

    申请号：PCT/EP2008063703

    申请日：2008-10-13

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  LAERMER FRANZ ,  FUCHS TINO ,  LEINENBACH CHRISTINA

    发明人： LAERMER FRANZ ,  FUCHS TINO ,  LEINENBACH CHRISTINA

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00103 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0136

    摘要： The invention relates to a method for producing micromechanical structures having a raised lateral wall progression or an adjustable angle of inclination. The micromechanical structures are etched out of an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) provided on, or deposited on, a silicon semiconductor layer (1, 10), by dry-chemical etching of the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50). The lateral wall progression of the micromechanical structure is formed by varying the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) to be etched. There is a higher germanium part in regions that are to etched more aggressively. The variation of the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is adjusted by a method selected from a group wherein an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) having a varying germanium content is deposited, wherein germanium is introduced into a silicon semiconductor layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), wherein silicon is introduced into a germanium layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), and/or wherein a SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is subjected to thermal oxidation.

    摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于生产具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）现有或沉积SiGe混合半导体层上的微机械结构（3A，3B，30，30A，30B ，50）由SiGe混合半导体层的干式化学蚀刻（3A，3B，30，30A，30B，50）出蚀刻通过改变（将被蚀刻SiGe混合半导体层3a，3b中的锗含量，得到的微机械结构的侧壁轮廓， 30，30A，30B，50）形成，在多个区域被蚀刻，较高的锗比例存在，其中一个选择，则SiGe混合半导体层中的锗比例（3A，3B，30，30A，30B，50）的通过的过程中的变化 该组包括SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的沉积具有不同锗含量，引入的 锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）和/或 由SiGe混合半导体层的热氧化（3A，3B，30，30A，30B，50）设置。