第１導電型の半導体基板の第１主面内のセル領域において表層に第２導電型の第１ウェルが形成されている。第１ウェル内において表層に第１導電型の拡散領域が形成されている。第１ウェル上に第１ゲート絶縁膜が形成され、その上に第１ゲート電極が形成されている。セル領域の外周部において第１主面の表層に第２導電型の第２ウェルが形成されている。第２ウェル上に第２ゲート絶縁膜が形成され、その外周側に厚いフィールド酸化膜が形成されている。ゲート絶縁膜及びフィールド酸化膜上に連続して、第１ゲート電極に接続された第２ゲート電極が形成されている。第１，第２ウェル及び拡散領域に第１電極が接続されている。半導体基板の第２主面に第２電極が形成されている。セル領域の外周を１周するようにフィールド酸化膜上に、第２ゲート電極に接続されたゲート配線が形成されている。ゲート配線は、第２ゲート電極の構成物質をシリサイド化させたものである。