公开(公告)号：WO2009116444A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/JP2009/054726

申请日：2009-03-12

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  渡邊 寛 ,  油谷 直毅 ,  大塚 健一 ,  黒田 研一 ,  今泉 昌之 ,  松野 吉徳

Inventor： 渡邊 寛 ,  油谷 直毅 ,  大塚 健一 ,  黒田 研一 ,  今泉 昌之 ,  松野 吉徳

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が、漏れ電流の発生源及び降伏点となり、耐圧が劣化する。本発明の半導体装置は、ｎ + 型半導体基板（１）上に成膜されたｎ - 型半導体層（２）と、ｎ - 型半導体層上に形成されたショットキー電極として機能する第１電極（３）と、第１電極の端部（３Ｅ）及びその周辺のｎ - 型半導体層表面に形成された第１ｐ型半導体層のＧＲ層（４）と、ｎ - 型半導体層の表面（２Ｓ）にＧＲ層と離間してＧＲ層の周囲にリング状に配置された溝（９）の底部（９Ｂ）及び側面（９Ｓ）に形成された第２ｐ型半導体層から成るＪＴＥ層（５）と、ＧＲ層とＪＴＥ層とを覆う様に設けられた絶縁膜（７）と、ｎ + 型半導体基板の裏面に形成されたオーミック電極である第２電極（６）を、備える。

Abstract translation: 在具有JTE层的端接结构中，存在于半导体层和绝缘膜的界面上的电平和缺陷或者通过绝缘膜从内部或外部侵入到半导体通过绝缘膜的界面的外部杂质痕迹 其成为漏电流的源头或因此降低击穿电压的屈服点。 公开了一种半导体器件，包括形成在n +型半导体衬底（1）上的n型半导体层（2），形成在n型半导体层上用作肖特基电极的第一电极（3） 形成在第一电极的端部（3E）处的第一p型半导体层和其周边上的n型半导体层的表面的GR层（4），由以下部件组成的JTE层（5） 形成在第一p型半导体层上的第二p型半导体层，该第二p型半导体层形成在与第一p型半导体层的表面（2S）上分隔开的环绕GR层的环状凹槽（9）的侧面（9S） 型半导体层，覆盖GR层和JTE层的绝缘膜（7）和形成在n +型半导体衬底的背面上的欧姆电极的第二电极（6）。

公开(公告)号：WO2003063258A1

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：PCT/JP2002/000510

申请日：2002-01-24

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  油谷 直毅 ,  松浦 司 ,  堤 和彦

Inventor： 油谷 直毅 ,  松浦 司 ,  堤 和彦

IPC: H01L37/02

CPC classification number: H01L37/00

Abstract: A semiconductor device keeps the base material of a semiconductor substrate (2) partially removed from the rear in a partial region of a wiring to a semiconductor element (2) arranged on the surface of a semiconductor substrate (1) to from a diaphragm section (4) comprising the upper and lower insulating films of a front wiring (3). A part of the insulating film on the rear of the diaphragm has a contact hole (10) to the front wiring, and a rear wiring (6) formed on the rear of the substrate via the insulating film is electrically connected to the front wiring through the contact hole. The rear wiring is electrically connected to a rear input/output pad (12), and an insulating resin (19) is embedded in the rear opening of the diaphragm section.

Abstract translation: 半导体器件将布线在半导体衬底（1）的表面上的半导体元件（2）的布线的局部区域中的半导体衬底（2）的基底部分从后部部分地移除到膜片部分 4）包括前布线（3）的上绝缘膜和下绝缘膜。 隔膜后面的绝缘膜的一部分具有与前布线的接触孔（10），并且经由绝缘膜形成在基板的后部的后布线（6）电连接到前布线 接触孔。 后布线电连接到后输入/输出垫（12），并且绝缘树脂（19）嵌入在隔膜部分的后开口中。

公开(公告)号：WO2003060434A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：PCT/JP2002/000043

申请日：2002-01-09

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  油谷 直毅 ,  松浦 司 ,  堤 和彦

Inventor： 油谷 直毅 ,  松浦 司 ,  堤 和彦

IPC: G01F1/692

CPC classification number: G01F1/692 ,  G01F1/6845

Abstract: A thermal sensor in which heaters 2 arranged on the surface of a planar substrate 1 of 150mum thick or above and wiring 3 required for output signal are connected electrically with through wiring 4 formed from the surface to the rear surface of the substrate 3 and further connected electrically with an I/O wiring part 12 formed on the rear surface of the substrate. Since the I/O part which must be separated sufficiently from the detecting part on the surface of the substrate in prior art can be formed on the rear surface of the substrate and can be arranged freely with respect to the detecting part, size of the element can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.

Abstract translation: 布置在150μm厚以上的平面基板1的表面上的加热器2和输出信号所需的布线3的热传感器通过从基板3的表面到后表面形成的布线4电连接，并进一步连接 与形成在基板的后表面上的I / O布线部分12电连接。 由于在现有技术中必须从基板表面上的检测部分充分分离的I / O部分可以形成在基板的后表面上，并且可以相对于检测部分自由布置，元件的尺寸 可以减少制造成本。