本発明のシリコン構造体の製造方法は、高周波電力を印加することによりフッ化ヨウ素を含むエッチングガスをプラズマ化する第１工程と、高周波電力を印加することにより有機堆積物形成ガスをプラズマ化する第２工程とを交互に繰り返し行うことによって、シリコン領域を含む被処理物におけるシリコン領域をエッチングする工程とを有している。その結果、地球温暖化への影響を軽減したシリコンの異方性ドライエッチングによる、高い垂直性とともに良好な側壁形状を有するシリコン構造体が得られる。