公开(公告)号：WO2007080706A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：PCT/JP2006/322969

申请日：2006-11-17

Applicant: 大陽日酸株式会社 ,  迫田 薫 ,  石原 良夫

Inventor： 迫田 薫 ,  石原 良夫

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/70 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B01D53/70 ,  B01D2257/2066 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 　本発明の排ガス処理装置は、ガス使用設備１にＣ ３ Ｆ ８ などのガスを供給するガス供給装置２と、ガス使用設備１からの排ガスを受け入れて除害する除害装置４と、除害剤充填排出装置５と、制御装置６を備えている。ガス供給装置２からガス使用設備１に送られるガスの種類、流量、供給時間のデータを制御装置６に送る。制御部６は、これらのデータに基づいて除害装置４の除害筒４１の破過時期を予測し、破過時期になると除害筒４１の切替の指示を行い、除害剤の排出、充填を除害剤充填排出装置５に指示する。

Abstract translation: 一种排放气体处理装置，包括用于向气体使用设备（1）供应气体的气体供应单元（2），例如C 3 C 8 N 8。 解毒单元（4），用于从气体使用设备（1）接收和排除排放气体; 解毒剂充放电单元（5）; 和控制单元（6）。 从气体供给单元（2）向气体使用设备（1）供给的气体的类型，流量和供给持续时间的数据被发送到控制单元（6）。 控制单元（6）根据上述数据，在解毒管（41）的突破性定时命令切换到达时，估计解毒单元（4）的排毒管（41）的突破时间，并引导解毒剂 充放电单元（5）在排毒或卸药时。

公开(公告)号：WO2011001778A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：PCT/JP2010/059343

申请日：2010-06-02

Applicant: 住友精密工業株式会社 ,  笹倉 昌浩 ,  山本 孝 ,  野沢 善幸 ,  永野 修次 ,  迫田 薫 ,  羽坂 智

Inventor： 笹倉　昌浩 ,  山本　孝 ,  野沢　善幸 ,  永野　修次 ,  迫田　薫 ,  羽坂　智

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/30655

Abstract: 本発明のシリコン構造体の製造方法は、高周波電力を印加することによりフッ化ヨウ素を含むエッチングガスをプラズマ化する第１工程と、高周波電力を印加することにより有機堆積物形成ガスをプラズマ化する第２工程とを交互に繰り返し行うことによって、シリコン領域を含む被処理物におけるシリコン領域をエッチングする工程とを有している。その結果、地球温暖化への影響を軽減したシリコンの異方性ドライエッチングによる、高い垂直性とともに良好な側壁形状を有するシリコン構造体が得られる。

Abstract translation: 一种硅结构体的制造方法，其特征在于，通过交替地重复利用高频电力将含有碘氟化物的蚀刻气体转换成等离子体的第一工序，来蚀刻包含硅区域的被处理物的硅区域的工序， 通过施加高频功率将有机沉积物形成气体转化成等离子体的第二步骤。 结果，可以通过对全球变暖影响较小的硅的各向异性干蚀刻来获得具有高垂直度和良好侧壁形状的硅结构。

公开(公告)号：WO2011043374A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/JP2010/067545

申请日：2010-10-06

Applicant: 大陽日酸株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  鈴木 克昌 ,  迫田 薫 ,  石原 良夫 ,  大見 忠弘 ,  白井 泰雪

Inventor： 鈴木　克昌 ,  迫田　薫 ,  石原　良夫 ,  大見　忠弘 ,  白井　泰雪

IPC: B01D53/70 ,  B01D53/34 ,  B01D53/46 ,  B01D53/68

CPC classification number: B01D53/685 ,  B01D53/0438 ,  B01D53/70 ,  B01D2251/404 ,  B01D2251/602 ,  B01D2251/604 ,  B01D2253/1124 ,  B01D2253/304 ,  B01D2253/311 ,  B01D2257/2047 ,  B01D2257/2066 ,  B01D2258/0216

Abstract: 　本発明は、排ガス処理装置全体の消費電力を低減することができる排ガス処理方法及び排ガス処理装置を提供する。具体的に本発明の排ガス処理方法は、半導体製造装置から排出される排ガスに含まれる有害ガス成分を固体の反応除去剤で反応除去する排ガス処理方法であって、前記反応除去剤の温度を測定する手段および前記反応除去剤を加熱する手段のそれぞれを前記反応除去剤充填筒のガス流れ方向の３箇所以上に設けていること、各温度測定手段にて測定した温度に基づいて反応除去剤充填筒内の反応帯の位置を検知し、前記反応帯の位置に基づいて各加熱手段を制御することを特徴とする。

Abstract translation: 公开了能够降低整个废气处理装置的消耗电力的废气处理方法和排气处理装置。 具体公开了使用固态除去反应剂，从半导体制造装置排出的排气中含有的有害气体成分除去的废气处理方法。 废气处理方法的特征在于，在气缸的流动方向的三个以上的位置，分别设置有用于测定去除反应剂的温度的装置和加热除去反应剂的装置， 并且根据由各温度测量装置测量的温度检测填充有除去反应剂的圆筒内的反应区的位置，并且各个加热装置基于 反应区的位置。

公开(公告)号：WO2009093581A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/JP2009/050782

申请日：2009-01-20

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  大陽日酸株式会社 ,  大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  羽坂 智 ,  井上 實 ,  迫田 薫 ,  稲石 美明 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

Inventor： 大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  羽坂 智 ,  井上 實 ,  迫田 薫 ,  稲石 美明 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

IPC: C23C16/42 ,  C07F7/08 ,  C23C16/509 ,  H01L21/312

CPC classification number: C07F7/0807 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76829

Abstract: 　本発明は、下記化学式（１）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料、それを用いた成膜方法および絶縁膜を提供する。本発明によれば、半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜が得られる。下記化学式（１）において、ｎは３～６の整数であり、Ｒ １ およびＲ ２ は、それぞれ独立にＣ ２ Ｈ、Ｃ ２ Ｈ ３ 、Ｃ ３ Ｈ ３ 、Ｃ ３ Ｈ ５ 、Ｃ ３ Ｈ ７ 、Ｃ ４ Ｈ ５ 、Ｃ ４ Ｈ ７ 、Ｃ ４ Ｈ ９ 、Ｃ ５ Ｈ ７ 、Ｃ ５ Ｈ ９ 、及びＣ ５ Ｈ １１ のいずれかである。 　

Abstract translation: 公开了用化学式（1）表示的用于等离子体CVD的绝缘膜材料，使用绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。 用于等离子体CVD的绝缘膜材料能够形成具有低相对介电常数和高铜扩散阻挡性能的绝缘膜，该膜可用作半导体器件等的层间绝缘膜。 在化学式（1）中，n表示3-6的整数; R1和R2独立地表示C2H，C2H3，C3H3，C3H5，C3H7，C4H5，C4H7，C4H9，C5H7，C5H9或C5H11。

公开(公告)号：WO2007142192A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/JP2007/061295

申请日：2007-06-04

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  大陽日酸株式会社 ,  宇部マテリアルズ株式会社 ,  大見 忠弘 ,  石原 良夫 ,  鈴木 克昌 ,  迫田 薫 ,  三隅 修 ,  渡辺 高行

Inventor： 大見 忠弘 ,  石原 良夫 ,  鈴木 克昌 ,  迫田 薫 ,  三隅 修 ,  渡辺 高行

IPC: C01F11/02 ,  B01D53/28 ,  B01D53/86 ,  B01J20/04

CPC classification number: C01F11/02 ,  B01D53/685 ,  B01D2251/602 ,  B01D2251/604 ,  B01D2257/2027 ,  B01J20/041 ,  B01J20/28057 ,  B01J20/28069 ,  B01J20/28078 ,  B01J20/28092 ,  C01F11/04 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  Y10T428/2982

Abstract: Disclosed are particulates of calcium oxide and calcium hydroxide which are suitably used for filling a gas fixing unit (32) of a fixation device (3) for a halide gas. Particularly disclosed are those particulates highly reactive with a halide gas or a decomposition product thereof. Specifically disclosed is a porous calcium oxide particulate composed of spherical porous calcium oxide particles, which has a BET specific surface area of not less than 50 m 2 /g. The total pore volume of pores having a diameter of 2-100 nm contained in all the porous particles is within the range of 0.40-0.70 mL/g. Also specifically disclosed is a porous calcium hydroxide particulate composed of spherical porous calcium hydroxide particles, which has a BET specific surface area of not less than 20 m 2 /g. The total pore volume of pores having a diameter of 2-100 nm contained in all the porous particles is within the range of 0.25-0.40 mL/g.

Abstract translation: 公开了适合用于填充用于卤化物气体的固定装置（3）的气体固定单元（32）的氧化钙和氢氧化钙的颗粒。 特别公开的是那些与卤化物气体或其分解产物高度反应的颗粒。 具体公开的是由球形多孔氧化钙颗粒构成的多孔氧化钙颗粒，其BET比表面积不小于50m 2 / g。 包含在所有多孔颗粒中的直径为2-100nm的孔的总孔体积在0.40-0.70mL / g的范围内。 还具体公开了一种由球形多孔氢氧化钙颗粒构成的多孔氢氧化钙颗粒，其BET比表面积不小于20m 2 / g。 包含在所有多孔颗粒中的直径为2-100nm的孔的总孔体积在0.25-0.40mL / g的范围内。

公开(公告)号：WO2007015433A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：PCT/JP2006/315001

申请日：2006-07-28

Applicant: 大陽日酸株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構 ,  大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  濱田 智之 ,  小林 伸好 ,  井上 實 ,  羽坂 智 ,  迫田 薫 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

Inventor： 大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  濱田 智之 ,  小林 伸好 ,  井上 實 ,  羽坂 智 ,  迫田 薫 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801

Abstract: 　本発明は、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を製造する際の材料ガスとして、蒸気圧が高く、容易にガス状で供給できる材料を使用し、誘電率が低く、かつ、機械的強度が高く、半導体装置の層間絶縁膜等に有用な低誘電率絶縁膜を成膜する方法及び低誘電率絶縁膜を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜するときの材料ガスとして、一般式Ｓｉ α Ｏ β Ｃ γ Ｈ δ （α＝１～３，β＝０～８，γ＝０～８，δ＝４～２４）で示されるＳｉ系化合物と、一般式Ｃ ε Ｏ ζ Ｈ η （ε＝１～８，ζ＝０～１０，η＝２～１４）で示される炭化水素系化合物と、添加剤とをそれぞれガス化して供給することができる。

Abstract translation: 公开了一种低介电常数和高机械强度的低介电常数绝缘膜的方法，其适用于半导体器件等的层间绝缘膜，其中可以容易地以气体形式供应的具有高蒸气压的材料是 用作通过等离子体CVD法形成绝缘膜的材料气体。 还公开了这种低介电常数绝缘膜。 在该方法中，由以下通式表示的Si化合物：（C 1 -C 4）H（H） 其中a = 1-3，β= 0-8，α= 0-8，d = 4-24），由以下通式表示的烃化合物：C （其中e = 1-8，α= 0-10，α= 2-14）和添加剂分别作为用于形成绝缘膜的材料气体气化并供给， 等离子体CVD法。

公开(公告)号：WO2007018268A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：PCT/JP2006/315858

申请日：2006-08-10

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  大陽日酸株式会社 ,  大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  濱田 智之 ,  小林 伸好 ,  井上 實 ,  羽坂 智 ,  迫田 薫 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

Inventor： 大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  濱田 智之 ,  小林 伸好 ,  井上 實 ,  羽坂 智 ,  迫田 薫 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

IPC: H01L21/316 ,  C08G83/00 ,  C23C16/42 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Using as a material for insulating film a tetravinylsilane of the formula: (1) film formation is carried out by plasma CVD technique. The film formation may be carried out in the presence of CO 2 , O 2 , H 2 O, NO, N 2 O, NO 2 , CO, H 2 , chain hydrocarbons having a C 2 -C 3 hydrocarbon group, alcohols or ethers.

Abstract translation: 使用下式的四乙烯基硅烷作为绝缘膜的材料：（1）通过等离子体CVD技术进行成膜。 成膜可以在CO 2，O 2，H 2 O，NO，N 2 O 2的存在下进行， CO，H 2，具有C 2 -C 3链的烃类， 烃基，醇或醚。