本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化方向が不変な第１の磁性層と、磁化方向が可変な第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の間に設けられた中間層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に書き込まれた第１のデータが誤りを含むか否かを検出し、前記第１のデータが誤りを含む場合にその誤りが訂正された第２のデータを出力する誤り検出訂正回路と、第１のパルス幅を有する第１の書き込み電流及び前記第１のパルス幅より長い第２のパルス幅を有する第２の書き込み電流のいずれか一方を生成し、前記磁気抵抗効果素子に流す書き込み回路と、前記第２のデータを前記磁気抵抗効果素子に書き込む場合、前記第２の書き込み電流を前記磁気抵抗効果素子に流すように、前記書き込み回路を制御する制御回路と、を備える。