公开(公告)号：WO2011036796A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/JP2009/066775

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社 東芝 ,  相川 尚徳 ,  甲斐 正 ,  中山 昌彦 ,  池川 純夫 ,  下村 尚治 ,  北川 英二 ,  岸 達也 ,  小瀬木 淳一 ,  與田 博明 ,  柳 暁志

Inventor： 相川　尚徳 ,  甲斐　正 ,  中山　昌彦 ,  池川　純夫 ,  下村　尚治 ,  北川　英二 ,  岸　達也 ,  小瀬木　淳一 ,  與田　博明 ,  柳　暁志

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

Abstract: ［課題］記憶層の熱安定性を低下させることなく書き込み電流を低減することを可能にする。 ［解決手段］磁化の向きが不変な参照層６と、磁化方向が可変な記憶層２と、参照層と記憶層との間に設けられたスペーサ層４とを有する磁気抵抗効果素子１を備えた磁気メモリであって、記憶層は、第１の磁性層２ａと、第２の磁性層２ｂとの積層構造を有し、第２の磁性層は第１の磁性層と前記スペーサ層との間に設けられ第１の磁性層よりも磁気異方性エネルギーが低く、かつ第１の磁性層と第２の磁性層の交換結合定数Ｊｅｘが５ｅｒｇ／ｃｍ ２ 以下である。

Abstract translation: 公开了磁存储器，由此可以降低写入电流而不降低存储层的热稳定性。 磁存储器包括磁阻效应元件（1），所述磁阻效应元件（1）包括其中磁化方向不变的参考层（6），磁化方向可变的存储层（2） 以及设置在参考层和存储层之间的间隔层（4）。 在磁存储器中，存储层具有包括第一磁性层（2a）和第二磁性层（2b）的叠层结构，并且被配置为使得第二磁性层设置在第一磁性层和间隔层之间，并且 具有比第一磁性层低的磁各向异性能量，并且第一磁性层和第二磁性层之间的交换耦合常数（Jex）为5erg / cm 2以下。

公开(公告)号：WO2011036753A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/JP2009/066551

申请日：2009-09-24

Applicant: 株式会社 東芝 ,  柳 暁志 ,  北川 英二 ,  中山 昌彦 ,  小瀬木 淳一 ,  相川 尚徳 ,  下村 尚治 ,  吉川 将寿 ,  天野 実 ,  高橋 茂樹 ,  與田 博明

Inventor： 柳　暁志 ,  北川　英二 ,  中山　昌彦 ,  小瀬木　淳一 ,  相川　尚徳 ,  下村　尚治 ,  吉川　将寿 ,  天野　実 ,  高橋　茂樹 ,  與田　博明

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

Abstract: ［課題］磁気抵抗効果素子の特性のばらつきを抑制し、かつ記録層に作用する参照層からの漏洩磁界を低減することを可能にする。 ［解決手段］磁化の向きが膜面に略垂直でかつ可変である第１磁性層１２と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１３と、トンネルバリア層上に設けられ磁化の向きが膜面に略垂直でかつ不変の第２磁性層１４と、第２磁性層上に設けられ第２磁性層の磁化の向きと反平行な磁化を有する第３磁性層１６と、を備え、第１磁性層の上面の直径は、トンネルバリア層の下面の直径よりも小さく、第２磁性層の下面の直径は、トンネルバリア層の上面の直径以下である。

Abstract translation: 抑制了磁阻效应元件的特性的变化，从参考层泄漏并对记录层进行动作的磁场减少。 磁存储器设置有：第一磁性层（12），其中磁化方向基本上垂直于膜表面并且是可变的; 布置在第一磁性层上的隧道势垒层（13）; 第二磁性层（14），其布置在隧道势垒层上并且具有基本上垂直于膜表面的磁化方向并且不变; 以及第三磁性层（16），其布置在所述第二磁性层上并且具有与所述第二磁性层的磁化方向反平行的磁化。 第一磁性层的上表面的直径小于隧道势垒层的下表面的直径，第二磁性层的下表面的直径等于隧道势垒层的上表面的直径 或更小。

公开(公告)号：WO2011036817A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/JP2009/066829

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社 東芝 ,  池川 純夫 ,  下村 尚治

Inventor： 池川　純夫 ,  下村　尚治

IPC: G11C11/15 ,  G11C29/42 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228

Abstract: 　本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化方向が不変な第１の磁性層と、磁化方向が可変な第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の間に設けられた中間層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に書き込まれた第１のデータが誤りを含むか否かを検出し、前記第１のデータが誤りを含む場合にその誤りが訂正された第２のデータを出力する誤り検出訂正回路と、第１のパルス幅を有する第１の書き込み電流及び前記第１のパルス幅より長い第２のパルス幅を有する第２の書き込み電流のいずれか一方を生成し、前記磁気抵抗効果素子に流す書き込み回路と、前記第２のデータを前記磁気抵抗効果素子に書き込む場合、前記第２の書き込み電流を前記磁気抵抗効果素子に流すように、前記書き込み回路を制御する制御回路と、を備える。

Abstract translation: 磁存储器具有：磁阻效应元件，其包括磁化方向恒定的第一磁性层，其中磁化方向可变的第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层; 检测写入磁阻效应元件的第一数据是否包含错误的错误检测和校正电路，以及当第一数据包含错误时，输出错误被校正的第二数据; 写入电路，其产生具有第一脉冲宽度的第一写入电流或具有大于第一脉冲宽度的第二脉冲宽度的第二写入电流，并将其施加到磁阻效应元件; 以及控制电路，当将第二数据写入磁阻效应元件时，控制写入电路将第二写入电流施加到磁阻效应元件。