Invention Application
- Patent Title: EINKRISTALLINES SCHWEISSEN VON DIREKTIONAL VERFESTIGTEN WERKSTOFFEN
- Patent Title (English): Monocrystalline welding of directionally compacted materials
- Patent Title (中): 单晶硅焊接定向凝固材料
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Application No.: PCT/EP2010/067486Application Date: 2010-11-15
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Publication No.: WO2011058174A1Publication Date: 2011-05-19
- Inventor: BURBAUM, Bernd , GASSER, Andres , JAMBOR, Torsten , LINNENBRINK, Stefanie , PIRCH, Norbert , ARJAKINE, Nikolai , BOSTANJOGLO, Georg , MELZER-JOKISCH, Torsten , MOKADEM, Selim , OTT, Michael , WILKENHÖNER, Rolf
- Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BURBAUM, Bernd , GASSER, Andres , JAMBOR, Torsten , LINNENBRINK, Stefanie , PIRCH, Norbert , ARJAKINE, Nikolai , BOSTANJOGLO, Georg , MELZER-JOKISCH, Torsten , MOKADEM, Selim , OTT, Michael , WILKENHÖNER, Rolf
- Applicant Address: Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- Assignee: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,BURBAUM, Bernd,GASSER, Andres,JAMBOR, Torsten,LINNENBRINK, Stefanie,PIRCH, Norbert,ARJAKINE, Nikolai,BOSTANJOGLO, Georg,MELZER-JOKISCH, Torsten,MOKADEM, Selim,OTT, Michael,WILKENHÖNER, Rolf
- Current Assignee: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,BURBAUM, Bernd,GASSER, Andres,JAMBOR, Torsten,LINNENBRINK, Stefanie,PIRCH, Norbert,ARJAKINE, Nikolai,BOSTANJOGLO, Georg,MELZER-JOKISCH, Torsten,MOKADEM, Selim,OTT, Michael,WILKENHÖNER, Rolf
- Current Assignee Address: Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- Agency: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- Priority: EP09014307.4 20091116
- Main IPC: B23K26/34
- IPC: B23K26/34 ; C30B13/24
Abstract:
Verfahren zur direktionalen Verfestigung einer Schweißnaht (13) während des Auftragsschweißens, insbesondere zum Auftragsschweißen eines Substrats (4) eines Bauteils (1) das gerichtet verfestigt ist und Dendriten (31) aufweist, die sich in einer Substratdendritenrichtung (32) erstrecken, bei dem die Verfahrensparameter bezüglich Vorschub, Laserleistung, Schweißstrahldurchmesser, Pulverstrahlfokus und/oder Pulvermassenstrom derart ausgestaltet sind, dass sie zu einer lokalen Orientierung des Temperaturgradienten (28) auf einer Erstarrungsfront (19) führen, die kleiner als 45° zur Substratdendritenrichtung (32) der Dendriten (31) im Substrat (4) ist, wobei die Relativgeschwindigkeit zwischen 30mm/mm und 100mm/mm, vorzugsweise 50mm/mm beträgt und/ oder die Leistung zwischen 200W und 500W, vorzugsweise 300W beträgt und/oder der Durchmesser des Laserstrahls auf der Oberfläche des Substrats zwischen 3mm und 6mm, vorzugsweise bei 4mm beträgt und/oder die Massenzufuhrrate zwischen 300mg/mm und 600mg/mm, vorzugsweise bei 400mg/mm beträgt.
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